Zu den ersten und heute immer noch vielfach genutzten Lacke zählen kurzkettige als auch langkettige Polymethylmethacrylate (PMMA-Resist, Sensitivität bei 100 keV ca. 0,08–0,09 C/cm2). Dabei handelt es sich in der Regel um Einkomponentenlacke. Zu dieser Gruppe gehören auch der CSAR62 und der ZEP-Resist mit einer deutlich höheren Empfindlichkeit (0,02 – 0,06 C/cm²….). Demgegenüber gibt es, ähnlich wie bei normalen Fotolacken, auch Mehrkomponentenlacke, bei denen neben der polymeren Komponente beispielsweise Substanzen beigemischt werden, die für eine erhöhte Löslichkeit des Lacks nach der Belichtung durch das Abspalten von „eingebauten“ Schutzgruppen sorgen (sogenannte chemisch verstärkte Lacke).
Des Weiteren wird nach elektronenempfindlichen oder chemisch stabileren Lacken gesucht, um beispielsweise kürzere Belichtungszeiten zu ermöglichen. Zu den elektronen-empfindlichen Lacken zählen u. a. Wasserstoff-Silsesquioxan (engl. hydrogen silsesquioxane, HSQ, ca. 1-3 C/cm2 @ 100 keV) oder Calixarene (ca. 10 C/cm2 und größer @ 100 keV). Anders als bei PMMA sind diese beiden Lacke Negativlacke, das heißt, die belichteten Bereiche bleiben nach der Entwicklung des Lacks auf dem Wafer.
Die Negativlacke von AR bestehen aus Novolaken, cross-linkern und aminischen Vernetzern. Der Lack polymerisiert durch die Elektronenbestrahlung und/oder UV-Belichtung und einem nachfolgenden Ausheizschritt zur Stabilisierung, das heißt, nach der Entwicklung bleiben die belichteten Bereiche stehen. Durch die Elektronenbestrahlung werden die im Lack enthaltenen cross-linker aktiviert und anschließend im nachfolgenden Ausheizschritt (PEB) mit den aminischen Komponenten kovalent vernetzen (CAR-Mechanismus). Durch die Vernetzung werden die Lackschichten im belichteten Bereich stabilisiert und dadurch im Entwickler sehr schlecht löslich.