Zu den ersten (ca. ab 1980) und heute immer noch vielfach genutzten Lacken zählen kurzkettige (50.000 g/mol (50k)) als auch langkettige (950.000 g/mol (950k)) Polymethylmethacrylate (PMMA-Resist, Sensitivität bei 100 keV ca. 250 – 500 µC/cm2). Dabei handelt es sich in der Regel um Einkomponentenlacke. Zu dieser Gruppe gehören auch der CSAR 62 und der ZEP 520-Resist mit einer deutlich höheren Empfindlichkeit (60 – 300 µC/cm² bei 100 keV). Demgegenüber gibt es, ähnlich wie bei “normalen” Photolacken, auch Mehrkomponentenlacke, bei denen neben der polymeren Komponente beispielsweise Substanzen beigemischt werden, die für eine erhöhte Löslichkeit des Lacks nach der Belichtung und folgernder Temperung durch das Abspalten von „eingebauten“ Schutzgruppen sorgen (sogenannte positiv chemisch verstärkte Resists CAR). Neu ist der Positiv-CAR EOS 72 von Allresist, der, wie auch z.B. der FEP 171, nach diesem Prinzip arbeitet.
Des Weiteren wurden elektronenempfindliche oder chemisch stabilere Lacke entwickelt, um beispielsweise kürzere Belichtungszeiten zu ermöglichen. Zu diesen Lacken zählen u. a. die recht unempfindlichen Wasserstoff-Silsesquioxan (engl. hydrogen silsesquioxane, HSQ, ca. 1-3 C/cm2 @ 100 keV) oder Calixarene (ca. 10 C/cm2 und größer @ 100 keV). Durch die geringe Empfindlichkeit verfügen die Resists über eine sehr gute Auflösung (bis < 10 nm). Anders als bei PMMA sind diese beiden Lacke Negativlacke, das heißt, die belichteten Bereiche bleiben nach der Entwicklung des Lacks auf dem Wafer.
Die Negativlacke von AR bestehen einerseits aus Novolaken und Crosslinkern (AR-N 4200 und AR-N 7520) und andererseits aus Novolaken, Säuregeneratoren und aminischen Vernetzern (CAR, z.B. AR-N 7700 und SAL 605). Der Lack vernetzt durch die Elektronenbestrahlung. Bei den CAR-Lacken ist ein PEB (Post Exposure Bake) zwingend erforderlich. Dann bleiben nach der Entwicklung die belichteten Bereiche stehen. Durch die Vernetzung werden die Lackschichten im belichteten Bereich stabilisiert und dadurch im Entwickler sehr schlecht löslich.