PMMA-Resists werden überwiegend für Elektronenstrahlanwendungen oder als Schutzlacke bei aggressiven nasschemischen Ätzverfahren eingesetzt. Prinzipiell ist die Strukturierung einer PMMA-Schicht auch mittels Tief-UV-Belichtung (220 – 266 nm) möglich. Jedoch ist dort die Empfindlichkeit gering und es resultieren lange Belichtungszeiten.
Möchte man die Eigenschaften der PMMA-Strukturen z.B. für transparente Schichten nutzen, können PMMA-Negativresists eingesetzt werden. Allresist bietet hierfür den X AR-N 4800/16 an. Dieser Lack ist im Tief-UV und bei i-line (365 nm) strukturierbar und verfügt aber wie alle herkömmlichen PMMAs über eine nur mittlere Empfindlichkeit.
Deshalb wurde eine empfindlichere PMMA-Variante gesucht. Dabei gelang es, das Prinzip der chemischen Verstärkung auf PMMA-Polymere zu übertragen. Die neue chemisch verstärkte Rezeptur zeichnet sich durch eine sehr gute Empfindlichkeit in dem Wellenlängenbereich von 300 – 410 nm aus. Belichtungen sind jedoch auch bei g-line (436 nm) noch gut möglich. Mit dem neuen Experimentalmuster SX AR-N 4810/1 sind Lackdicken bis zu 5 µm möglich. Der Entwickler besteht aus einem Anisol-Lösemittelgemisch. Dadurch kann der Resist auch bei wasserempfindlichen Substraten zur Strukturierung genutzt werden, ein Kontakt mit wässrigen Prozesschemikalien erfolgt nicht. Der Resist kann jedoch auch für die Herstellung von Wellenleitern oder in der Mikrosystemtechnik eingesetzt werden.
Abb. 1 5-µm-Stege mit dem SX AR-N 4810/1
Photoresist Negativ