3.  Wie ist die optimale Subtratvorbehandlung für E-Beam Resists?

Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten zur Vorbereitung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten. Es empfiehlt sich eine Zwischenlagerung in einem Exsikkator zur Verhinderung der Rehydrierung.

Organisch verunreinigte oder schon verwendete Wafer erfordern vorherige Reinigungen in einfachen Fällen mit Aceton und nachfolgend mit Isopropanol oder Ethanol mit nachfolgender Trocknung.

Werden die Wafer in einer Technologie mehrfach prozessiert und unterschiedlichen Einflüssen ausgesetzt, empfiehlt sich eine intensive Reinigung. Diese ist jedoch stark substrat- (inklusive der schon aufgebrachten Strukturen) und prozessabhängig. Der Einsatz von Removern oder Säuren (z.B. Piranha) mit anschließender Spülung und Trocknung ( 1. Abschnitt) kann erforderlich sein. Eine Unterstützung durch Ultra- oder Megaschall hilft in schwierigen Fällen.

PMMA-, Copolymer- und Styrenacrylat-Resists zeichnen sich durch ausgezeichnete Haftung auf Silizium, Siliziumnitrid und den meisten Metallen aus und benötigen nur in Ausnahmefällen einen zusätzlichen Haftvermittler (AR 300-80, HMDS).

Novolakbasierte E-Beamresists dagegen benötigen in der Regel zur Verbesserung der Haftung Haftvermittler, wie z.B. den Adhäsionspromotor AR 300-80, der unmittelbar vor der Lackbeschichtung mittels Spincoating als dünne, ca. 15 nm dicke Schicht aufgetragen wird. Es kann auch HMDS auf die Substrate gedampft werden, die monomolekulare Schicht auf der Waferoberfläche wirkt haftverbessernd, weil sie sie hydrophobisiert (wasserabweisend, zugleich organisch bevorzugend) und somit den Resist besser festhält.

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