9.  Wie hoch ist die Plamaätzresistenz von E-Beam Resists?

Die Elektronenstrahllacke der AR-Serien 6000 und 7000 weisen unterschiedliche Ätzresistenzen bei den Trockenätzprozessen, wie z.B. Argon-Sputtern und CF4 auf.

Die novolakbasierten E-Beamresists verfügen über eine hohe Ätzstabilität, die PMMA-Resists sind da deutlich ätzanfälliger. Der CSAR 62 hat eine ähnliche Ätzstabilität wie die novolakbasierten E-Beamresists. Vor dem Ätzprozess bewirkt eine Nachtemperung zur Resiststabilisierung bei 110 °C eine etwas höhere ÄtzbeständigkeitDie Ätzraten hängen stark von den Ätzbedingungen ab. Neben dem verwendeten Gerät (Plasmaätzer) beeinflussen Ätzgaszusammensetzung, Druck, Temperatur und Spannung die Raten.

Folgende Ätzraten in nm/min wurden für unsere E-Beam Resists bei 5 Pa und 240 – 250 V Bias ermittelt:

Resists:                       AR-P 600(0)                AR-N/P 7000

Argonsputtern:          10 – 22 nm/min         8 – 9 nm/min

CF4:                                51 – 61nm/min        33 – 41 nm/min

80 CF4 + 16 O2:         116 – 169nm/min      89 – 90 nm/min

O2-Plasma:                 173 – 350nm/min     168 – 170 nm/min

Durch vorsichtiges Plasmaätzen (geringerer Druck und Spannung) hält der Resist deutlich länger stand, der Ätzprozess dauert aber länger. Eine intensive Kühlung beim Ätzen verbessert die Resistenz ebenfalls. Wird der Resist zu intensiv geätzt (bei zusätzlich hoher Temperatur), gibt es große Schwierigkeiten beim anschließenden Removing.