Zur Entfernung gering getemperter Lackschichten (Softbake) aller Photoresists eignen sich polare Lösemittel, wie z.B. der jeweilige Lackverdünner AR 300-12 (PGMEA) sowie der Remover AR 600-70 (Acetonbasis). Letzterer ist der gebräuchlichste Remover.
Zur nasschemischen Entschichtung intensiv getemperter Photolackschichten bis 180 °C empfiehlt Allresist den organischen Allround-Remover AR 300-76, der zur Verkürzung der Lösezeit auf 80 °C erwärmt werden kann. Darüber hinaus stehen auch die organischen Remover AR 300-70 und AR 300-72 mit dem Hauptrohstoff NEP zur Auswahl, der jedoch reprotoxisch eingestuft wurde.
Auch der wässrig-alkalische Remover AR 300-73, der auf 50 °C erwärmbar ist, eignet sich für bis 170 °C getemperte Photolackschichten. Allerdings greift dieser Remover Aluminiumflächen an.
Ebenfalls für bis 170 °C getemperte Photolackschichten eignet sich der bereits bei Raumtemperatur effizient lösende Remover AR 600-71. Er ist für Kunden vorgesehen, die Remover mit niedrigem Flammpunkt einsetzen können.
~ Details siehe Produktinformation Remover
In der Halbleiterindustrie erfolgt das Removing (Strippen) oft durch Veraschen in einem Plasmaverascher. Das mikrowellenangeregte O2-Plasma dient der rückstandsfreien Resistentfernung. Für das nasschemische Removing können jedoch auch oxidierende Säuregemische (Piranha, Königswasser, Salpetersäure u.ä.) eingesetzt werden.
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