Es gibt Einlagen- und Zweilagensysteme, mit denen ein Unterschnitt der Resiststrukturen erzeugt werden kann. Ein Einlagenresist ist der AR-P 5350, mit ihm können z.B. Aufdampfmuster aus Metall erzeugt werden. Der Resist enthält Komponenten, die bei der Temperung (bei etwas höheren Temperaturen als üblich) eine Härtung der Resistoberfläche bewirken. Bei der wässrig-alkalischen Entwicklung bildet sich dann der Unterschnitt aus. Der optimale Entwickler hierfür ist der AR 300-26. Die Resistschicht sollte beim Aufdampfen bzw. Sputtern 2-3 mal dicker als die aufgedampfte Metallschicht sein.
Lift-off-Prozesse können auch mit dem Zweilagensystem AR-P 5400 – 3510 durchgeführt werden. Mit diesem System können darüber hinaus thermisch belastbare Strukturen bis 230 °C und optisch transparente Strukturen bis zum IR erzeugt werden. Als erste Schicht wird das Copolymer-Gemisch AR-P 5400 mittels spin coating aufgetragen. Nach der Temperung bei 150 °C wird der Photoresist AR-P 3510 auf das abgekühlte Copolymer-Gemisch aufgetragen und anschließend bei 100 °C getempert. Die Entwicklung erfolgt wässrig-alkalisch mit dem MIF-Entwicker AR 300-47 1 : 1 mit DI-Wasser verdünnt. Nach dem die obere Photoresistschicht an den belichteten Zonen durchentwickelt ist, beginnt der ungerichtete (isotrope) Lösevorgang des Copolymer- Gemischs in alle Richtungen. Je länger der Entwickler einwirkt, desto tiefer löst er das Polymer unter der Photoresistschicht heraus. Der gewünschte Unterschnitt kann so mit der Entwicklungszeit eingestellt werden. Für starke lift-off-Effekte sollte die Photoresistschicht dünn (1,0 µm) und die Copolymerschicht dick (1,5 µm) gewählt werden. Für eine maßhaltige Strukturübertragung sollten beide Schichten etwa gleichdick sein.
Photoresist FAQs