Die Photoresists der AR-Serien 1000 bis 4000 besitzen aufgrund der verwendeten Polymere eine gute Ätzresistenz, vor allem in den Trockenätzprozessen wie z.B. Argon-Sputtern, CF4 und CF4/O2-Gemischen. Vor dem Ätzprozess bewirkt eine Nachtemperung zur Resiststabilisierung bei 110 °C eine etwas höhere Ätzbeständigkeit. Durch Zusätze von aromatisch-konjugierten Verbindungen kann die Ätzstabilität verbessert werden.
Die Ätzraten hängen stark von den Ätzbedingungen ab. Neben dem verwendeten Gerät (Plasmaätzer) beeinflussen Ätzgaszusammensetzung, Druck, Temperatur und Spannung die Raten.
Folgende Ätzraten in nm/min wurden für unsere Photoresists bei 5 Pa und 240-250 V Bias ermittelt:
Argonsputtern: 3 – 8 nm/min
CF4: 31 – 42 nm/min
80 CF4 + 16 O2: 81 – 93 nm/min
O2-Plasma: 122 – 174 nm/min
Werte für jeden Photoresisttyp finden Sie in unserer Parametersammlung unter Plasmaätzraten.
Durch vorsichtiges Plasmaätzen (geringerer Druck und Spannung) hält der Resist deutlich länger stand, der Ätzprozess dauert aber länger. Eine intensive Kühlung beim Ätzen verbessert die Resistenz ebenfalls.
Wird der Resist zu intensiv geätzt (bei zusätzlich hoher Temperatur), gibt es große Schwierigkeiten beim anschließenden Removing.
Photoresist FAQs