Mr. Y. Nori von der Lancaster Uni (Department of Physics, UK) konnte unter Einsatz von CSAR 62 sehr erfolgreich Strukturen für die Herstellung von photonischen Kristallen erzeugen. Diese Strukturen dienen als Ausgangspunkt für die Erzeugung von GaSb „Quantendots“ die als Einzelphoton-Emitter eingesetzt werden können. Dafür wurde zunächst eine Schicht von Al0.8GaAs0.2 auf einem GaAs-Substrat erzeugt und anschließend eine Schicht von GaAs aufgebracht in die auch GaSb „Quantendots“ eingebettet wurden. Für die Herstellung des Photonischen Kristalls wurde auf das modifizierte Substrat CSAR 62 aufgebracht und mittels E-Beamlithographie strukturiert. Anschließend wurden die entwickelten Strukturen durch Plasmaätzen in die obere GaAs-Schicht übertragen und schließlich, zur Erzeugung überbrückender Architekturen, durch nasschemisches Ätzen mit HF unterätzt.
Abb. Mittels CSAR 62 und ICP-Ätzung erzeugte Strukturen in GaAs; überbrückende GaAs-Strukturen nach HF-Ätzen
Entscheidend für die erfolgreiche Realisierung von GaAs-Brücken war die im Vergleich zu PMMA höhere Plasmaätzbeständigkeit von CSAR 62. Weiterhin zeigte sich, dass durch Plasmaätzen bei 100°C eine deutlich günstigeres Ätzverhältnis GaAs zu CSAR 62 beobachtet wird: das Verhältnis von CSAR 62: GaAs betrug bei 100 °C 1 : 3,64, aber nur etwa 1 : 1,9 bei Raumtemperatur.
E-Beam Resist Positiv