Hochauflösender Negativ-E-Beamresist AR-N 7520.17neu für Ätzanwendung
Am Institut FEMTO-ST in Frankreich wurden mit AR- 7520.17neu bei einer Schichtdicke von 400nm sehr gleichmäßige und glatte 300nm-Stege realisiert. In der nachfolgenden Ätzanwendung konnte die Resistgeometrie in hervorragender Qualität in das Si-Substrat übertragen werden. Aufgrund der guten Ätzbeständigkeit im verwendeten Plasma (ICP, SF6:C4F8) wurde dabei eine Selektivität von 12:1 erreicht.
AR-N 7520.17, parallel 300 nm lines, film thickness 400nm, SB 1′ @ 85°C, Raith eLine, 30 kV, dosage 120 µC/cm², devlopment 2′ AR 300-44 (0.26n TMAH), cleaning with oxygen plasma
ICP etched architecture, mixture SF6:C4F8 / 400 W / Selectivity 12:1, stripping with oxygen plasma
E-Beam Resist Negativ