Neben dem verbreiteten Strukturieren mittels Photomasken in der Lithographie besteht auch die Möglichkeit, die Strukturen direkt, ohne Maske, mittels Laserstrahlen einzuschreiben. Die gebräuchlichste Wellenlänge ist dabei die 405 nm Linie.
Durch die Verknüpfung klassischer maskengestützter Belichtungsverfahren (Kontakt-, Proximity- und Projektionsbelichtung) mit moderner, maskenloser Lithographie (Laser- und Elektronenstrahlbelichtung) kann eine mix&match Technologie genutzt werden, die den hohen Durchsatz der Maskentechnologie mit der hohen Auflösung im sub-µm-Bereich (Laser) verknüpft.
Diese Technologie zielt auf die Steigerung der Anwendereffizienz von Belichtungstechniken, insbesondere für MEMS und sensorische Prozesse.
In Analogie zur bekannten photolithographischen Strukturierung (siehe Resist-Wiki Allgemein Grundlegende Chemie) wird hier mittels gesteuertem Laserstrahl der AR-P 3540 chemisch verändert und durch die nachfolgende Entwicklung gelöst. Über Testserien wurden neue Einsatzgebiete für den AR-P 3540 in der maskenlosen Lithographie an geprobt und bewertet.
Gute Ergebnisse zeigen die folgenden Abbildungen – es wurden Auflösungen von deutlich kleiner 1,0 µm erreicht.
Abb. 1: Aufgelöste Strukturen (Stege) <1,0µm im AR-P 3540 Abb. 2: Aufgelöste Strukturen (Löcher) <1,0µm im AR-P 3540 Nach einer Information von Klaus-Dieter Preuß - Entwicklungsingenieur im CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH und Dr. Axel Weidner - Geschäftsführer der ML Mikrolithographie Service GmbH Jena (Siehe auch AR NEWS 28. Ausgabe)
Photoresist Positiv