PPA-Schichten können auch durch Laserablation strukturiert werden. Mit AR-P 8100 beschichtete Substrate wurden am IOM Leipzig (Dr. Klaus Zimmer) mit gepulstem Laserlicht bei unterschiedlichen Wellenlängen strukturiert. Dabei konnten Architekturen mit sehr geringer Kantenrauigkeit realisiert werden. Im Absorptionsbereich von PPA, bei 248nm, wurde eine vollständige Ablation erreicht, ohne Schädigung des Siliziumsubstrates.
Abb. 1 und 2: 0,5 J/cm2, 248nm, 20ns, Doppelpuls-Belichtung, 700nm PPA auf Si-Wafer
Obwohl PPA bei einer Wellenlänge von 355nm nur eine sehr geringe Absorption zeigt, kann dennoch selektiv, mit vergleichsweiser hoher Empfindlichkeit ablatiert werden. Die realisierten Strukturen zeigen dabei erneut sehr glatte Kanten.
Abb. 3: 0,1 J/cm2, 355nm ps-Laser, Einpuls-Belichtung, 700nm PPA auf Si-Wafer
Der Laserstrahl kann auch zur Erzeugung von 3d Strukturen eingesetzt werden. Interferenzprojektion durch eine Phasenmaske erlaubt die Herstellung von Gitterstrukturen mit sinusförmigen Verlauf und sehr geringer Oberflächenrauigkeit.
Abb. 4: experimenteller Aufbau Interferenzprojektion
Abb. 5 und 6: REM-Aufnahme realisiertes PPA Gitters mit sinusförmigen Verlauf (Periode ~750nm); 248nm, 20ns Pulse, Anzahl Pulse: 10, 700nm PPA auf Si-Wafer
E-Beam Resist Andere