Medusa 82 für EUV-Anwendungen

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Photolithographie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung. Dies soll es ermöglichen, auch zukünftig die Strukturverkleinerung in der Halbleiterindustrie fortzusetzen, um kleinere, effizientere, schnellere und günstigere integrierte Schaltkreise herstellen zu können.

In Zusammenarbeit mit der RWTH Aachen wurden Medusa-Muster mittels EUV-Lithographie evaluiert.

EUV-Anlage der RWTH Aachen, Chair of Technology Optical Systems TOS, Aachen

Die Wafer wurden mit Medusa 82 beschichtet, bestrahlt und dann mit dem Entwickler AR 300-44 entwickelt. Daraufhin wurde die Gradation bestimmt.

Schichtaufbau bei den unterschiedlichen EUV-Dosen

Die daraus resultierende Gradationskurve

Für ein optimales Handling bei der EUV-Lithographie für die RWTH-Anlage wird ein Empfindlichkeitsbereich von 30 – 40 mJ/cm² angestrebt. Eine Medusa-Probe mit einem Zusatz von 2,5 % Photoacidgenerator (PAG) erreichte schon diesen Zielbereich. Die Untersuchungen werden im Rahmen eines Projektes fortgesetzt.

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