Der Einsatz einer Beschleunigungsspannung von 100kV hat den Vorteil, dass die auf dem Proximity-Effekt beruhende Rückstreuung vermieden werden kann. Am Karlsruher Institut für Technologie (KIT, Institut für Mikrostrukturtechnik, Dr. Lothar Hahn) wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht. Dafür wurden CSAR 62 –Schichten mit einem EBPG5200Z E-Beam-Writer bei 100kV belichtet und mit unserem Entwickler für hohe Kontraste, AR 600-546, entwickelt. Die besten Ergebnisse wurden bei einer Bestrahlungsdosis von 225µC/cm2 und einer Entwicklungszeit von 3 Minuten erhalten. Die entwickelten Strukturen wurden mit Au/Pd besputtert und am REM ausgewertet.
Abb. 1: REM-Bilder von CSAR 62 Nanostrukturen, Parameter: Schichtdicke 200nm, Dosis 225µC/cm2 bei 100kV, Entwickler AR 600-546 für 3 Minuten.
Durch einen mehrmaligen Wechsel der Entwicklerlösung und ein abschließendes Spülen mit MIBK vor Einsatz des Stoppers IPA konnten fehlerfrei entwickelte und partikelfreie Strukturen erhalten werden. Eine besondere Herausforderung ist das Schreiben und Entwickeln nano-dimensionierter Lochstrukturen. Mit CSAR 62 konnte ein Durchmesser von beachtlichen 67nm realisiert werden, wobei das anspruchsvolle Strukturelement ein sehr regelmäßiges Muster aufweist.
Abb. 2: REM-Bilder von CSAR 62 Nano-Lochstrukturen, Parameter: Schichtdicke 200nm, Dosis 225µC/cm2 bei 100kV, Entwickler AR 600-546 für 3 Minuten.
E-Beam Resist Positiv