Hochempfindlicher Negativresist für i-line-Lithographie – AR-N 4300

Negativresists werden im Vergleich zu Positivresists in der Mikroelektronik deutlich seltener eingesetzt. Um jedoch auch für diese Applikationen einen erstklassigen Resist anbieten zu können, haben wir den im Jahr 2001 entwickelten Resist AR-N 4200 weiter optimiert. Dieser nutzte für die Vernetzung ausschließlich die chemische Reaktion der lichtempfindlichen Bisazide. Damit war die Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 350 – 400 nm relativ gering.

Mit den Ergebnissen aus unserer aktuellen Forschung und Entwicklung haben wir bei diesem Negativresist das Prinzip der chemischen Verstärkung einführen können, wodurch sich eine hervorragende Steigerung der Empfindlichkeit ergab.
Die Ergebnisse der Versuchsreihen mit dem SX AR-N 4340/1 liegen nun vor. Als wichtigstes Resultat ergibt sich eine Empfindlichkeit von 15 mJ/cm² für eine Schichtdicke von 2,5 µm (i-line). Die Entwicklung erfolgt mit dem wässrig-alkalischen Standardentwickler AR 300-48. Dieses neue Negativresistsystem wird künftig unter der Bezeichnung AR-N 4300 angeboten.

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