Allresist war auf der MNE 2010 mit einem Poster vertreten. Gemeinsam mit der Martin-Luther-Universität Halle, Institut für Physik, Prof. G. Schmidt und J. Kleinlein, wurden die Ergebnisse des verbesserten E-Beamresists AR-N 7520 vorgestellt. Durch den Einsatz neuer Rohstoffe wurde eine fünffache Empfindlichkeitssteigerung im Vergleich zu dem Standardresist erreicht. Dieser Lack ist nicht chemisch verstärkt und verfügt deshalb über eine exzellente Auflösung. Eine weitere Empfindlichkeitserhöhung wird durch den Zusatz von chemisch verstärkten Komponenten ermöglicht. Es resultiert ein sogenannter Hybridresist. Durch eine Optimierung der Prozessparameter kann die hohe Auflösung beibehalten werden. Muster stehen für Interessenten zur Austestung bereit.
