Durch Verwendung des negativ Resists AR-N 4400-50 können dicke Lackschichten >200 µ m durch mehrmaliges Beschichten aufgebaut werden (siehe Produktinfo CAR 44). Entscheidend für die Qualität der zu erzeugenden Strukturen ist das Trocknungsregime. Die dicken Lackschichten sollten langsam bei Temperaturen <90°C getrocknet werden, unter Einsatz von Temperaturrampen, was die Bildung von Spannungsrissen im Lack verhindert und eine gleichmäßige Verteilung des Restlösungsmittels bewirkt. Da der Restlösungsmittelgehalt die Entwicklungsgeschwindigkeit beeinflusst, können über die Dauer des Trocknungsprozesses entscheidende Strukturparameter gesteuert werden: ein hoher Gehalt an Lösungsmittel begünstigt die Ausbildung unterschnittener Strukturen während ein geringer Lösungsmittelgehalt senkrechte Architekturen ermöglicht. Je länger getrocknet wird desto langsamer ist dabei die Entwicklungsrate (siehe Bild).
Bild: Entwicklungsrate von 50 µm dicken Schichten aus AR-N 4400-50 in Abhängigkeit der Trocknungsdauer (85°C, Ofen), Vergleich unterschiedlicher Resistlösungsmittel (PMA und Butyrolaktone:MEK 1:1), TMAH Entwickler AR 300-46
Die Entwicklungsrate ist dabei unabhängig von der Art des Resistlösungsmittels. Da Buytrolakton aber weniger flüchtig als PMA ist, aufgrund des höheren Siedepunktes, ist die Entwicklungsrate zunächst höher, gleicht sich jedoch nach etwa 12 Stunden Trocknung an. Lösungsmittelfreie Schichten können nicht mehr kontrolliert entwickelt werden.
Photoresist Negativ