Für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen ist es von Vorteil, wenn die Gradation  (Kontrast) niedrig ist (siehe auch Diffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist). Ein Resist mit einem sehr hohen Kontrast wird immer (fast) senkrechte Resistflanken generieren. Kleinste Dosisänderungen bewirken den rasanten Sprung von unentwickelt zu völlig durchentwickelt. Bei einer niedrigen Gradation liegt eine große Dosis-Differenz zwischen unentwickelt und völlig durchentwickelt. Wenn man dann parallele Linien mit jeweils ansteigender Dosis schreibt, erhält man eine treppenförmige Struktur, die deutlich ausgeprägter ist als beim hohen Kontrast.

Abb. 1 Negativ-E-Beamresist Stufenkeil nach Bestrahlung mit einer Dosisstaffel

Allresist hat einen PMMA-Resist konzipiert, der über eine sehr flache Gradation verfügt. Dazu wurde dem PMMA-Resist ein Vernetzer hinzugefügt. Damit laufen bei der Bestrahlung zwei konkurrierende Prozesse ab: Der Positiv-Prozess, beim dem die Polymerkette gespalten wird, wobei kleine Bruchstücke entstehen, die gut löslich im Entwickler sind. Und der Negativ-Prozess, bei dem die Polymerketten und auch die Bruchstücke wieder vernetzt werden. Für die flache Gradation ist die Optimierung des Gehaltes des Vernetzers von großer Bedeutung. In der folgenden Abbildung  sind zwei Kontrastkurven der Experimentalmuster SX AR-P 6210/14-15 aufgezeigt, die einen Dosisbereich von etwa 80 µC/cm² bis etwa 2.000 µC/cm² aufweisen. Die Gradation liegt unter 1.

Die PMMA-Resists der Serie SX AR-P 6210 sind für die Herstellung von dreidimensionalen Strukturen besonders geeignet.