E-Beam Resist AR-N 7500-Serie
Produkt auf Anfrage
(AR-N 7500.08, AR-N 7500.18)
Hochauflösender, plasmaätzstabiler Resist für mix- & match
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Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV, i-line, g-line– mittlere Empfindlichkeit
- mix- & match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen 310-450 nm, positiv oder negativ durch Auswahl der Belichtungswellenlänge
- hochauflösend, prozessstabil (no-CAR)
- plasmaätzresistent, thermisch stabil bis 120 °C
- Novolak, Naphthochinondiazid, organischer Vernetzer
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-P 7500.08
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Schichtdicke/4.000 rpm: 0,10 µm
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Auflösung bester Wert: 40 nm
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Kontrast: 5
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Flammpunkt: 42 °C
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Lagertemperatur*: 14-20 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
AR-P 7500.18
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
AR-N 7500.18: Schichtdicke 400 nm, Gitter mit 70 nm Stegen
Prozessparameter
- Substrat4“ Si-Wafer
- Temperung
85 °C, 90 s, hot plate
- Belichtung
ZBA 21, 30 kV
- Entwicklung
AR 300-47, 4 : 1, 60 s, 22 °C
Spinkurve
Resiststrukturen
AR-N 7500.18: Zylinderreihen mit einem Durchmesser von 500 nm