E-Beam Resist AR-N 7520-Serie
(AR-N 7520.073, AR-N 7520.18)
Höchstauflösender Resist für mix- & match, für hochpräzise Kanten
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Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV, i-line
- sehr hoher Kontrast, exzellente Strukturübertragung, hochpräzise Kanten
- mix- & match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen 248-365 nm
- höchstauflösend, sehr prozessstabil (no-CAR)
- plasmaätzresistent, thermisch stabil bis 140 °C
- Novolak, organischer Vernetzer
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-N 7520.073
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Schichtdicke/4.000 rpm: 0,10 µm
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Auflösung bester Wert: 28 nm
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Kontrast: 10
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Flammpunkt: 42 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 10-18 °C
AR-N 7520.18
Verfügbare Bestellgrößen
Product on request.
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
400 nm Stege mit dem AR-N 7520.073
Prozessparameter
- Substrat4“ Si-Wafer
- Temperung
85 °C, 90 s, hot plate
- Belichtung
Raith Pioneer 30 kV
- Entwicklung
AR 300-47, 60 s, 22 °C
Spinkurve
Text
Resiststrukturen
1 µm Steg mit präzisen Kanten, AR-N 7520.18, Schichtdicke 340 nm, 1.400 µC/cm², 100 kV