E-Beam Resist AR-N 7520-Serie

(AR-N 7520.073, AR-N 7520.18)

Höchstauflösender Resist für mix- & match, für hochpräzise Kanten

Produktinformation

Ihre Anfrage zu diesem Produkt

Charakterisierung

E-Beam, Tief-UV, i-line
sehr hoher Kontrast, exzellente Strukturübertragung, hochpräzise Kanten
mix- & match-Prozesse zwischen E-Beam- und UV-Belichtungen 248-365 nm
höchstauflösend, sehr prozessstabil (no-CAR)
plasmaätzresistent, thermisch stabil bis 140 °C
Novolak, organischer Vernetzer
Safer Solvent PGMEA

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

AR-N 7520.073

Schichtdicke/4.000 rpm: 0,10 µm
Auflösung bester Wert: 28 nm
Kontrast: 10
Flammpunkt: 42 °C
Lagerung bis 6 Monate: 10-18 °C

AR-N 7520.18

Verfügbare Bestellgrößen

Product on request.

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Passende Prozesschemikalien

Entwickler AR 300-46

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,24

Entwickler AR 300-47

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,20

Haftvermittler AR 300-80 neu

Zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Resists, Speziell bei: Metall, SiO2, GaAs. Einfachere und preiswertere Alternative zum HMDS.

Remover AR 300-73

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 300-76

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Verdünner AR 300-12

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Strukturauflösung

400 nm Stege mit dem AR-N 7520.073

Prozessparameter

Substrat
4“ Si-Wafer
Temperung

85 °C, 90 s, hot plate
Belichtung

Raith Pioneer 30 kV
Entwicklung

AR 300-47, 60 s, 22 °C

Spinkurve

Text

Resiststrukturen

1 µm Steg mit präzisen Kanten, AR-N 7520.18, Schichtdicke 340 nm, 1.400 µC/cm², 100 kV

Anmeldung zu den AR NEWS