E-Beam Resist AR-N 7700-Serie
(AR-N 7700.08, AR-N 7700.18)
Hochauflösender, chemisch verstärkter Resist für mix- & match, mit steiler Gradation
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Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV
- chemisch verstärkt (CAR)
- hoher Kontrast für digitale Abbildungen bei exzellenter Empfindlichkeit
- im UV-Bereich 248-265 nm und 290-330 nm negativ mit hoher Auflösung
- plasmaätzresistent, thermisch stabil bis 140 °C
- Novolak, Säuregenerator, Vernetzer
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-P 7700.08
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Schichtdicke/4.000 rpm: 0,10 µm
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Auflösung bester Wert: 80 nm
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Kontrast: 5
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Flammpunkt: 42 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 8-12 °C
AR-P 7700.18
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
- 1 x 2.500 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
AR-N 7700.18: 112 x 164 nm Quader bei einer Schichtdicke von 400 nm
Prozessparameter
- Substrat4“ Si-Wafer
- Temperung
85 °C, 90 s, hot plate
- Belichtung
ZBA 21, 30 kV
- Entwicklung
AR 300-46, 60 s, 22 °C
Spinkurve
Text
Resiststrukturen
AR-N 7700: 500 nm große Dots, geschrieben mit einer Dosis von 12 µC/cm² (30 kV)