E-Beam Resist AR-P 6200-Serie (CSAR 62)
(AR-P 6200.04, AR-P 6200.09, AR-P 6200.13, AR-P 6200.18)
Kontrastreiche E-Beam Resists mit höchster Auflösung, sehr plasmaätzresistent
Charakterisierung
- E-Beam; Schichtdicken 0,05-1,6 µm (6000-1000 rpm)
- hohe, über Entwickler einstellbare Empfindlichkeit
- höchstauflösend (< 10 nm) und sehr hoher Kontrast
- sehr prozessstabil, sehr plasmaätzresistent
- leichte Erzeugung von Lift-off-Strukturen
- Poly(α-methylstyren-co-α-chloracrylsäuremethylester)
- Safer Solvent Anisol
Eigenschaften
AR-P 6200.04
-
Schichtdicke/4.000 rpm: 0,08 µm
-
Auflösung: 6 nm
-
Kontrast: 14
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Flammpunkt: 44 °C
-
Lagerung bis 6 Monate: 10-18 °C
AR-P 6200.09
AR-P 6200.13
AR-P 6200.18
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Passende Prozesschemikalien
Spinkurve
Resiststrukturen
AR-P 6200.09: 25-nm-Strukturen, Schichtdicke 180 nm, Artwork
Strukturauflösung
AR-P 6200.04: Auflösung bis zu 6 nm bei einer Schichtdicke von 80 nm
Prozessparameter
- Substrat4“ Si-Wafer
- Temperung
150 °C, 60 s, hot plate
- BelichtungRaith Pioneer, 30 kV
- Entwicklung
AR 600-546, 60 s, 22 °C
Plasmaätzresistenz
CSAR 62 zeichnet sich durch eine hohe Plasmaätzresistenz aus. Hier werden die Ätzraten vom AR-P 6200.09 mit denen vom AR-P 3740 (Photoresist), von AR-P 679.04 (PMMA-Resist) und ZEP 520A in CF4 + O2Plasma verglichen.
CSAR 62 auf Maskenblanks
Abb.: CSAR 62-Teststruktur auf Maskenblank mit 50 nm Stegen und 50 nm Gräben; pitch line & space hier 99,57 nm
Experten am HHI Berlin haben den CSAR 62 auf Maskenblanks getestet (s. Abb.). Sie erreichten auf Anhieb eine Auflösung von 50 nm, was für Masken ein ausgezeichneter Wert ist. Aktuell werden auf Masken minimal 100 nm Linien genutzt. Zurzeit erfolgen Probebeschichtungen von Maskenblanks mit CSAR 62, sie werden in absehbarer Zeit allen Kunden über unseren Partner angeboten.
Herstellung von plasmonischen Nanomaterialien
Abb.: Kontrastkurven AR-P 6200 und ZEP 520A, 50kV, Substrat: Si; ZEP 520A, Schichtdicke 220 nm, 60 s ZED N-50, Kontrast 6; AR-P 6200, Schicht: 260 nm, 60 s AR 600-546, Kontrast 9
In der Arbeitsgruppe Quantendetektion der Aarhus University Denmark, die seit vielen Jahren Elektronenstrahl-Projekte für Nanostrukturierung erfolgreich vorantreibt, wurde besonders die hohe Prozessstabilität des CSAR 62 gegenüber dem ZEP 520A herausgestellt. Mit CSAR können kleine Prozessschwankungen wieder wettgemacht werden, die gewünschte hohe Auflösung ist auch dann garantiert. Außerdem erreicht der Allresist-Lack in Vergleichsmessungen mit dem ZEP 1,5-fach höhere Kontrastwerte (siehe Abb.).
Mit 100kV geschriebene CSAR 62-Nanostrukturen
Abb.: REM-Bilder (Gold besputtert): CSAR 62 Nanostrukturen, Parameter: Schichtdicke 200nm, Dosis 225μC/cm2,100kV, Entwickler AR 600-546, 3 min, Stopper AR 600-60
Am Karlsruher Institut für Technologie wurde die Eignung von CSAR 62 für die Herstellung komplizierter Architekturen detailliert untersucht. Dafür wurden CSAR 62–Schichten mit einem EBPG5200Z E-Beam-Writer bei 100kV belichtet und dem Entwickler AR 600-546 entwickelt. Eine besondere Herausforderung ist das Schreiben und Entwickeln nano-dimensionierter Lochstrukturen. Mit CSAR 62 konnte ein Durchmesser von beachtlichen 67nm realisiert werden, wobei das anspruchsvolle Strukturelement ein sehr regelmäßiges Muster aufweist.
Wissenschaftsposter MNE 2016
Wissenschaftliche Veröffentlichungen zu CSAR 62
CSAR 62 as negative-tone resist for high-contrast e-beam lithography at temperatures between 4 K and room temperature
DOI: 10.1116/1.4965883