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E-Beam Resist AR-P 661-Serie

( AR-P 661.09)

Höchstauflösende Resists für Nanometerlithographie, PMMA 600K

Charakterisierung

  • E-Beam, Tief-UV (248 nm)
  • sehr gute Haftung auf Glas, Silizium und Metallen
  • für Planarisierungen und Mehrlagenprozesse
  • höchste Auflösung, hoher Kontrast
  • Polymethylmethacrylate verschiedener Molgewichte

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

  • Schichtdicke/4.000 rpm:  1,25 µm
  • Auflösung bester Wert:     6 nm
  • Kontrast:                               7
  • Flammpunkt:                       28 °C
  • Lagerung bis 6 Monate:    10 – 22 °C
    Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
    garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

  • 1 x 100 ml (Testmuster)
  • 1 x 250 ml
  • 1 x 1.000 ml
  • 6 x 1.000 ml

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Passende Prozesschemikalien

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Starker, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methylisobutylketon (MIBK)

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Schwacher, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methylisobutylketon (MIBK)

Entwickler X AR 600-50/2

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Haftvermittler AR 300-80 neu

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Remover AR 300-76

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 600-71

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Stopper AR 600-60

Zum Abstoppen von E-Beam-Resist-Schichten nach der Entwicklung, Hauptbestandteil: Isopropanol

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Zum Abstoppen vom Schutzlack SX AR-PC 5000/41 nach der Entwicklung mit X AR 300-74/1, Hauptbestandteil: Octan

Dosisstaffel des 600k/950k-Systems

Bei 1800 pC/cm noch nicht durchentwickelt

Definition: Die Empfindlichkeit für eine Linie wird in pC/cm angegeben, für eine Fläche ist die Einheit µC/cm²

Ausbildung Unterschnitt vs. Bestrahlungsdosis

Grabenbreite oben: 20 nm, Messwerte im Diagramm: Breite der Gräben unten

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