E-Beam Resist AR-P 671-Serie
( AR-P 671.02, AR-P 671.04, AR-P 671.05, AR-P 671.09)
Höchstauflösende Resists für Nanometerlithographie, PMMA 950K
Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV (248 nm)
- sehr gute Haftung auf Glas, Silizium und Metallen
- für Planarisierungen und Mehrlagenprozesse
- höchste Auflösung, hoher Kontrast
- Polymethylmethacrylate verschiedener Molgewichte
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-P 671.02
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Schichtdicke/4.000 rpm: 0,09 µm
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Auflösung bester Wert: 6 nm
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Kontrast: 7
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Flammpunkt: 28 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 10 – 22 °CDie Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
AR-P 671.04
AR-P 671.05
AR-P 671.09
Passende Prozesschemikalien
Dosisstaffel des 600k/950k-Systems
Bei 1800 pC/cm noch nicht durchentwickelt
Definition: Die Empfindlichkeit für eine Linie wird in pC/cm angegeben, für eine Fläche ist die Einheit µC/cm²
Ausbildung Unterschnitt vs. Bestrahlungsdosis
Grabenbreite oben: 20 nm, Messwerte im Diagramm: Breite der Gräben unten