E-Beam Resist AR-P 672-Serie
(AR-P 672.01, AR-P 672.02, AR-P 672.03, AR-P 672.045, AR-P 672.06, AR-P 672.08, AR-P 672.11)
Höchstauflösende Resists für Nanometerlithographie, PMMA 950K
Charakterisierung
- E-Beam, Tief-UV (248 nm)
- sehr gute Haftung auf Glas, Silizium und Metallen
- für Planarisierungen und Mehrlagenprozesse
- höchste Auflösung, hoher Kontrast
- Polymethylmethacrylate verschiedener Molgewichte
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
AR-P 672.01
-
Schichtdicke/4.000 rpm: 0,03 µm
-
Auflösung bester Wert: 6 nm
-
Kontrast: 7
-
Flammpunkt: 44 °C
-
Lagerung bis 6 Monate: 10 – 22 °C* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
AR-P 672.02
AR-P 672.03
AR-P 672.045
AR-P 672.06
AR-P 672.08
AR-P 672.11
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Dosisstaffel des PMMA 600K/ 950K-Systems
Bei 1800 pC/cm noch nicht durchentwickelt
Definition: Die Empfindlichkeit für eine Linie wird in pC/cm angegeben, für eine Fläche ist die Einheit µC/cm²
Ausbildung Unterschnitt vs. Bestrahlungsdosis
Grabenbreite oben: 20 nm, Messwerte im Diagramm: Breite der Gräben unten