E-Beam Resist SX AR-N 8200 Serie (Medusa 82)
(SX AR-N 8200.03, SX AR-N 8200.06, SX AR-N 8200.18)
Experimentalmuster/Sonderanfertigung
Charakterisierung
- höchstauflösend E-Beam (10 nm)
- ätzstabile Resiststrukturen in 2 Schichtdicken
- vergleichbar mit HSQ, jedoch prozessstabiler,
einfacher entfernbar und deutlich haltbarer - Empfindlichkeitssteigerung bis Faktor 20 durch
zusätzliche Temperung - Silsesquioxane gelöst in 1-Methoxy-2-propanol
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
SX AR-N 8200.03
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Schichtdicke/4.000 rpm: 50 nm
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Auflösung bester Wert: 10 nm
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Kontrast: 5
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Flammpunkt: 38 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 8-12 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger
Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
SX AR-N 8200.06
SX AR-N 8200.18
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
11 nm Strukturen erzeugt mit SX AR-N 8200.03/1
Resiststrukturen
100 nm Säulen mit SX AR-N 8200.06/1
Medusa-Produktpräsentation
