E-Beam Resist SX AR-N 8400 Serie (Medusa 84 SiH)
(SX AR-N 8400)
Experimentalmuster/Sonderanfertigung
Charakterisierung
- höchstauflösend
- verbesserte Lagerfähigkeit, da Butylacetat das Gelieren und eine Partikelbildung reduziert
- verbesserte Stabilität durch den Zusatz von Stabilisatormolekülen
- Verzicht auf das vermutlich kanzerogene Lösemittel MIBK
- Hydrogen silsesquioxane gelöst in Butylacetat
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
SX AR-N 8200.03
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Schichtdicke/4.000 rpm: 50 nm
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Auflösung bester Wert: 10 nm
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Kontrast: 5
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Flammpunkt: <35 °C
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Lagerung bis 6 Monate: 10-18 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger
Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
SX AR-N 8200.06
SX AR-N 8200.18
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 30 ml (Testmuster)
- 1 x 100 ml
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Einzellinienstrukturen von Medusa 84 SiH auf GaAs, geschrieben mit 30 kV. Ein experimenteller TMAH-NaCl-Entwickler wurde verwendet, um den Kontrast zu erhöhen und gute Haftung zu erhalten.
© E. Maggiolini, JKU Linz
Resiststrukturen
100 nm line/space Strukturengeschrieben auf Silizium bei 1000 μC/cm² @ 100 kV und entwickelt mit AR 300-73 (6,5% TMAH-Lösung).
© J. Hohmann, KIT-IMT Karlsruhe