E-Beam Resist SX AR-N 8400 Serie
(Medusa 84 SiH)
(SX AR-N 8400.04, SX AR-N 8400.08, SX AR-N 8400.12, SX AR-N 8400.22)
Experimentalmuster/Sonderanfertigung
Charakterisierung
- Hydrogen silsesquioxane gelöst in Butylacetat
- höchstauflösend
- verbesserte Lagerfähigkeit, da Butylacetat das Gelieren und eine Partikelbildung reduziert
- verbesserte Stabilität durch den Zusatz von Stabilisatormolekülen
- Verzicht auf das vermutlich kanzerogene Lösemittel MIBK
Medusa 82/ 82 PAG und neuer Medusa 84 SiH ab 2025
In einem weiteren FuE-Schritt arbeitete Allresist an der Verbesserung der Auflösung und Plasmaätzresistenz. Dies gelang durch Optimierung der Syntheseführung des HSQ-Polymers, dabei entspricht die neue chemische Zusammensetzung exakt dem HSQ (Hydroxysilsesquioxane). Zusätzlich wird die Haltbarkeit des Resists Medusa 84 SiH durch Stabilisatoren verlängert. Unser neuer Medusa 84 SiH erreicht höchste Auflösungen < 10 nm mit einer höheren Plasmaätzfestigkeit und verbesserten Haftfestigkeit gegenüber Medusa 82/ 82 PAG. Dabei beträgt die Prozess- und Lagerstabilität für niedrige Feststoffgehalte wie SX AR-N 8400.04 (50 nm@4000 rpm) und SX AR-N 8400.08 (100 nm@4000 rpm) 6 Monate bei Kühlschranklagerung (10°C). Tiefkühllagerung verlängert die Haltbarkeit.
Lesen Sie mehr darüber in unserem Kundenbrief.
Eigenschaften
SX AR-N 8400.04
- Schichtdicke/4.000 rpm: 50 nm
- Flammpunkt (°C): <35 °C
- Lagertemperatur: 8-12 °C
* Die Produkte sind 3 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar. Hinweis: Tiefkühllagerung verlängert die Haltbarkeit
Medusa 84 SiH darf nicht in Glasbehälter umgefüllt oder mit einem Glas-Vorfilter filtriert werden, da dies zu einer irreversiblen Gelierung des Produkts führt. Der Medusa 84 SiH muss vor dem Öffnen der Flasche Raumtemperatur erreicht haben. Kondensierendes Wasser kann die Haltbarkeit beeinträchtigen, da der Resist empfindlich auf Feuchtigkeit reagiert.
SX AR-N 8400.08
SX AR-N 8400.12
SX AR-N 8400.22
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 30 ml (Testmuster)
- 1 x 100 ml
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
6 nm Linien entwickelt mit 1% KOH. Der Wafer wurde zwischen Beschichtung und Bestrahlung 10 Tage im Vakuum gelagert. Dabei traten keine Einschränkungen in der Prozessierbarkeit oder Degradation auf.
© Raith Dortmund
Resiststrukturen
100 nm line/space Strukturen geschrieben auf Silizium bei 1000 μC/cm² @ 100 kV und entwickelt mit AR 300-73 (6,5% TMAH-Lösung).
© J. Hohmann, KIT-IMT Karlsruhe