E-Beam Resist SX AR-N 8400 Serie
(Medusa 84 SiH)
(SX AR-N 8400.04, SX AR-N 8400.08)
Experimentalmuster/Sonderanfertigung
(SX AR-N 8400.04, SX AR-N 8400.08)
Experimentalmuster/Sonderanfertigung
In einem weiteren FuE-Schritt arbeitete Allresist an der Verbesserung der Auflösung und Plasmaätzresistenz. Dies gelang durch Optimierung der Syntheseführung des HSQ-Polymers, dabei entspricht die neue chemische Zusammensetzung exakt dem HSQ (Hydroxysilsesquioxane). Zusätzlich wird die Haltbarkeit des Resists Medusa 84 SiH durch Stabilisatoren verlängert. Unser neuer Medusa 84 SiH erreicht höchste Auflösungen < 10 nm mit einer höheren Plasmaätzfestigkeit und verbesserten Haftfestigkeit gegenüber Medusa 82/ 82 PAG. Dabei beträgt die Prozess- und Lagerstabilität für niedrige Feststoffgehalte wie SX AR-N 8400.04 (50 nm@4000 rpm) und SX AR-N 8400.075 (100 nm@4000 rpm) 6 Monate bei Kühlschranklagerung (10°C). Tiefkühllagerung verlängert die Haltbarkeit.
Lesen Sie mehr darüber in unserem Kundenbrief.
* Die Produkte sind 3 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar. Hinweis: Tiefkühllagerung verlängert die Haltbarkeit
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
6 nm Linien entwickelt mit 1% KOH. Der Wafer wurde zwischen Beschichtung und Bestrahlung 10 Tage im Vakuum gelagert. Dabei traten keine Einschränkungen in der Prozessierbarkeit oder Degradation auf.
© Raith Dortmund
100 nm line/space Strukturen geschrieben auf Silizium bei 1000 μC/cm² @ 100 kV und entwickelt mit AR 300-73 (6,5% TMAH-Lösung).
© J. Hohmann, KIT-IMT Karlsruhe