X AR-N 7700/30
(Experimentalmuster / Sonderanfertigung)
Hochempfindlicher, höchstausflösender und chemisch verstärkter Resist
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Charakterisierung
- E-Beam, BB-UV
- höchste Empfindlichkeit, gute Auflösung
- gute Haftung, hoher Kontrast, chemisch verstärkt
- mix- & match-Prozesse zwischen E-Beam und BB-UV möglich
- plasmaätzresistent, sehr prozessstabil
- Novolak mit einem lichtempfindlichen Säuregenerator und aminischen Vernetzer
- Safer solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm0,4 µm
- Auflösung0,15 µm
- Kontrast5,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate10 - 18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 30 ml
- 1 x 100 ml
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Dosisfächer des X AR-N 7700/30, niedrigste Dosis 10,14 µC/cm²
Prozessparameter
- SubstratSi 4" Wafer
- Temperung85 °C, 60 s, hot plate
- BelichtungVistec Lion 20 kV
- EntwicklungAR 300-475, 60 s, 22 °C
Spinkurve
