Photoresist AR-N 2210
Einsatzfertiger Sprühresist, zur Bedeckung senkrechter Gräben
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Charakterisierung
- Breitbandband-UV, i-line, g-line
- zur gleichmäßige Bedeckung senkrechter Gräben
- gute Haftung, glatte Oberfläche
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA sowie Methylethylketon
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke4-10 µm
- Auflösung1,0 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt1 °C
- Lagerung 6 Monate10-18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
- 1 x 2.500 ml
- 4 x 2.500 ml
Strukturauflösung
AR-N 2210: Schichtdicke 5 µm, Auflösung bis 1,4 µm
Prozessparameter
- SubstratSi 6“ Wafer
- Temperung82 °C, Chuck
- BelichtungBreitband (h-, g-, i-line)
- EntwicklungAR 300-44, 4 min Puddle