AR-N 4340
Hochempfindlicher Negativresist für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen
Charakterisierung
- i-line, g-line
- höchste Empfindlichkeit, exzellente Auflösung
- gute Haftung, hoher Kontrast, chemisch verstärkt
- unterschnittene Profile (lift-off) sind möglich
- plasmaätzresistent
- thermostabil nach Nachbehandlung bis 220 °C
- Novolak mit einem photoaktiven Säuregenerator und aminischen Vernetzer
- Safer solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm1,4 µm
- Auflösung0,5 µm
- Kontrast5,0
- Flammpunkt44 °C
- Lagerung 6 Monate10 - 18 °CDie Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Schichtdicke 1,4 µm, Resiststruktur 0,7 µm L/S
Resiststrukturen
AR-N 4340: Schichtdicke 2,0 μm, Resiststruktur 4,0 μm
Spinkurve
Spinkurve des AR-N 4340
Prozessparameter
- SubstratSi 4" Wafer
- Temperung85 °C, 60 s, hot plate
- Belichtungi-line Stepper (NA: 0,65)
- EntwicklungAR 300-475, 60 s, 22 °C