AR-N 4340

Hochempfindlicher Negativresist für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen

Produktinformation

Ihre Anfrage zu diesem Produkt

Charakterisierung

i-line, g-line
höchste Empfindlichkeit, exzellente Auflösung
gute Haftung, hoher Kontrast, chemisch verstärkt
unterschnittene Profile (lift-off) sind möglich
plasmaätzresistent
thermostabil nach Nachbehandlung bis 220 °C
Novolak mit einem photoaktiven Säuregenerator und aminischen Vernetzer
Safer solvent PGMEA

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

Schichtdicke/4.000 rpm
1,4 µm
Auflösung
0,5 µm
Kontrast
5,0
Flammpunkt
44 °C
Lagerung 6 Monate
10 - 18 °C
Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

1 x 100 ml (Testmuster)
1 x 250 ml
1 x 1.000 ml
6 x 1.000 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Passende Prozesschemikalien

Entwickler AR 300-26

Gepufferter Entwickler, für hohen Kontrast, steile Kanten, rasche Entwicklung

Entwickler AR 300-475

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,17

Haftvermittler AR 300-80 neu

Zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Resists, Speziell bei: Metall, SiO2, GaAs. Einfachere und preiswertere Alternative zum HMDS.

Remover AR 300-72

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 300-76

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Verdünner AR 300-12

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Strukturauflösung

Schichtdicke 1,4 µm, Resiststruktur 0,7 µm L/S

Resiststrukturen

AR-N 4340: Schichtdicke 2,0 μm, Resiststruktur 4,0 μm

Spinkurve

Spinkurve des AR-N 4340

Prozessparameter

Substrat
Si 4" Wafer
Temperung
85 °C, 60 s, hot plate
Belichtung
i-line Stepper (NA: 0,65)
Entwicklung
AR 300-475, 60 s, 22 °C

Anmeldung zu den AR NEWS