AR-N 4340
Hochempfindlicher Negativresist für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen
Hochempfindlicher Negativresist für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen
Schichtdicke 1,4 µm, Resiststruktur 0,7 µm L/S
AR-N 4340: Schichtdicke 2,0 μm, Resiststruktur 4,0 μm
Spinkurve des AR-N 4340