AR-N 4400 Serie (CAR 44)

(AR-N 4400-05, AR-N 4400-10, AR-N 4400-25, AR-N 4400-50)

Dicke und sehr dicke Negativresists für Galvanik, Mikrosystemtechnik und LIGA < 20 μm - > 50 μm

Charakterisierung

  • i-, gline, E-Beam, BreitbandUV
  • chemisch verstärkt, sehr gute Haftung, galvanostabil
  • sehr hohe Empfindlichkeit, leicht entfernbar
  • Profile hoher Kantensteilheit für exzellente Auflösung
  • Abdeckung von Topologien
  • 4400-05 für Schichtdicken bis 10 μm (250 rpm)
  • 4400-10 für Schichtdicken bis 20 um (250 rpm)
  • 4450-10T für Schichtdicken bis 20 μm und lift-off
  • 4400-25 für hohe Schichtdicken bis 50 μm (250 rpm)
  • 4400-50 für höchste Schichtdicken bis 100 μm
  • Novolak, Vernetzer und aminischer Säuregenerator
  • safer solvent PGMEA

Eigenschaften

  • Schichtdicke/1.000 rpm:  5 µm
  • Auflösung:                            1,0 µm
  • Kontrast:                               4,0
  • Flammpunkt:                       46 °C
  • Lagerung bis 6 Monate:    10-18 °C

* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

  • 1 x 100 ml (Testmuster)
  • 1 x 250 ml
  • 1 x 1.000 ml
  • 6 x 1.000 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Strukturauflösung

AR-N 4400-10: 3 µm Auflösung bei einer Schichtdicke von 15 µm

AR-N 4400-25: 5 µm Gräben bei einer Schichtdicke von 40 µm

Spinkurve

Spinkurve des AR-N 4400-05 und AR-N 4400-10 (AR-N 4450-10/AR-N 4450-10T)

Spinkurve des AR-N 4400-25 und AR-N 4400-50

Resiststrukturen

Turbinenrad aus dem AR-N 4400-10

Siemensstern mit dem AR-N 4400-25 (30 µm dick)

Thermostabilität / Schrumpfung (300 °C)

Entwickelte Linien von 10 20 µm Breite wurden mittels Flutbelichtung und folgendem Bake gehärtet. Diese Stege wurden schrittweise bis 300 °C getempert. Bis 200 °C bleiben die Strukturen praktisch unverändert.

Prozessparameter

  • Resist
    AR-N 4400-10
  • Substrat
    Si 4“ Wafer
  • Temperung
    95 °C, 10 min, hot plate
  • Belichtung
    Maskaligner MJB 3, Kontaktbelichtung
  • Entwicklung
    AR 300-47, pur, 3 min, 22 °C

Empfindlichkeit

AR-N 4400-05: Die Empfindlichkeit nimmt gleichmäßig mit steigender Bake-Temperatur zu (BB-UV-Maskeliner, Schichtdicke 5,0 µm)

Auflösung

AR-N 4400-05: Bei einer Schichtdicke von 5 µm wurden 1,0 µm breite Stege erzeugt

Gradation

AR-N 4400-05: Die Gradation (Kontrast) beträgt 3,5, die Empfindlichkeit wurde für einen 90 % igen Schichtaufbau (H090) mit 21,5 mJ/cm² bestimmt

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