Photoresist AR-N 4400-25 (CAR 44)
Dicker, chemisch verstärkter Resist, galvanostabil, leichtes Removing, hohe Schichten bis 20 µm
Charakterisierung
- i-, g–line, E-Beam, X–Ray, Synchrotron, Breitband–UV
- chemisch verstärkt, sehr gute Haftung, galvanostabil
- sehr hohe Empfindlichkeit, leicht entfernbar
- Profile hoher Kantensteilheit für exzellente Auflösung, Abdeckung von Topologien
- für hohe Schichten bis 50 µm (250 rpm)
- Novolak, Vernetzer und aminischer Säuregenerator
- safer solvent PGMEA
Eigenschaften
- Schichtdicke/1.000rpm25 µm
- Auflösung3,5 µm
- Kontrast5,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerdauer bis 6 Monate10-18 °CDie Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Spinkurve
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Resiststrukturen
Siemensstern mit dem AR-N 4400-25 (30 µm dick)
Strukturauflösung
3 µm Auflösung bei einer Schichtdicke von 15 µm
Prozessparameter
- ResistAR-N 4400-10
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung95 °C, 10 min, hot plate
- BelichtungMaskaligner MJB 3, Kontaktbelichtung
- EntwicklungAR 300-47, pur, 3 min, 22 °C