AR-P 3170
Haftverstärkter Maskenresist, für kritische Glas- und Chromflächen
Charakterisierung
- Breitband-UV, i-line, g-line
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- starke Haftung auf kritischen Glas-/Chromflächen für extreme Belastungen bei nasschemischen Prozessen
- für die Fertigung von CD-Mastern und Gittern
- für Laserinterferenzlithographie geeignet
- plasmaätzresistent
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm120 nm
- Auflösung0,4 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate10-18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
- 1 x 2.500 ml
- 4 x 2.500 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Schickdicke 0,6 μm; Resiststrukturen 0,38 μm L/S
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung95 °C, 90 s, hot plate
- Belichtungi-line stepper (NA: 0,65)
- EntwicklungAR 300-47, 1 : 1, 60 s, 22 °C
Spinkurve
Text Text Text Text Text Text
Text Text Text Text Text Text Text Text Text
Text Text Text Text Text Text
Linearität
Bis zu einer Strukturbreite von 0,38 ist eine sehr gute Übereinstimmung gegeben. REM-Messungen: Schichtdicke 560 nm, i-line stepper (NA: 0,65), Entwickler AR 300-47 1 : 1.