AR-P 3220
Dicker Resist für Galvanik und Mikrosystemtechnik, hohe Kantensteilheit, Schichtdicken bis 100 µm
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Charakterisierung
- Breitband-UV, i-line, g-line
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- Stegprofile hoher Kantensteilheit und Maßhaltigkeit
- plasmaätzresistent, galvanostabil
- transparent für hohe Schichten bis 100 µm mit Mehrfachbeschichtung
- 100 µm-Entwicklung in einem Schritt
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm10 µm
- Auflösung3,0 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate10-18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
- 1 x 2.500 ml
- 4 x 2.500 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Schichtdicke 12 µm, Resiststrukturen 4 µm
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung95 °C, 10-15 min, hot plate
- BelichtungMaskaligner MJB 3, Kontaktbelichtung
- EntwicklungAR 300-26, 1 : 3, 3 min, 22 °C
Spinkurve
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