AR-P 3540 T

Empfindlicher Resist großer Prozessbreite, für TMAH-Entwickler 0,26n

Produktinformation

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Charakterisierung

Breitband, i-line, g-line
hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
sehr gute Haftung
robust verarbeitbar, geeignet für TMAH-Entwickler 0,26 n
plasmaätzresistent, th. stabile Strukturen bis 120 °C
Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
Safer Solvent PGMEA

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

Schichtdicke/4.000 rpm
1,4 µm
Auflösung
0,5 µm
Kontrast
5,0
Flammpunkt
42 °C
Lagerung 6 Monate
10-18 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger
Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

1 x 100 ml (Testmuster)
1 x 250 ml
1 x 1.000 ml
6 x 1.000 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

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Strukturauflösung

Schichtdicke 1,5 µm, Resiststrukturen 0,5 µm

Prozessparameter

Substrat
Si 4“ Wafer
Temperung
95 °C, 90 s, hot plate
Belichtung
g-line stepper (NA: 0,56)
Entwicklung
AR 300-44, 60 s, 22 °C

Spinkurve