AR-P 3540 T
Empfindlicher Resist großer Prozessbreite, für TMAH-Entwickler 0,26n
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Charakterisierung
- Breitband, i-line, g-line
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- sehr gute Haftung
- robust verarbeitbar, geeignet für TMAH-Entwickler 0,26 n
- plasmaätzresistent, th. stabile Strukturen bis 120 °C
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm1,4 µm
- Auflösung0,5 µm
- Kontrast5,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate10-18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Schichtdicke 1,5 µm, Resiststrukturen 0,5 µm
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung95 °C, 90 s, hot plate
- Belichtungg-line stepper (NA: 0,56)
- EntwicklungAR 300-44, 60 s, 22 °C
Spinkurve
