AR-P 5320
Empfindlicher und dicker Resist für die Herstellung von Aufdampfmustern mittels Lift-off
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Charakterisierung
- Breitband-UV , i-line, g-line
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- gute Haftung– für unterschnittene Strukturen zur Erzeugung von Aufdampfmustern, besonders aus Metall, mittels Lift-off-Technik z.B. für Leiterbahnen
- plasmaätzresistent, th. stabile Strukturen bis 120 °C
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm5,0 µm
- Auflösung2,0 µm
- Kontrast4,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate10-18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
- 1 x 2.500 ml
- 4 x 2.500 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Lift-off-Resiststruktur nach dem Entwickeln
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung105 °C, 4 min, hot plate
- Belichtungg-line stepper (NA: 0,56)
- EntwicklungAR 300-35, 1 : 2, 60 s, 22 °C
Spinkurve
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