AR-P 5350

Empfindlicher Resist für die Herstellung von Aufdampfmustern mittels Lift-off

Produktinformation

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Charakterisierung

Breitband-UV , i-line, g-line
hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
gute Haftung– für unterschnittene Strukturen zur Erzeugung von Aufdampfmustern, besonders aus Metall, mittels Lift-off-Technik z.B. für Leiterbahnen
plasmaätzresistent, th. stabile Strukturen bis 120 °C
Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
Safer Solvent PGMEA

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

Schichtdicke/4.000 rpm
1,0 µm
Auflösung
0,5 µm
Kontrast
5,0
Flammpunkt
42 °C
Lagerung 6 Monate
10-18 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger
Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

1 x 100 ml (Testmuster)
1 x 250 ml
1 x 1.000 ml
6 x 1.000 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

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Strukturauflösung

Lift-off-Resiststruktur nach der Metallbedampfung

Prozessparameter

Substrat
Si 4“ Wafer
Temperung
105 °C, 4 min, hot plate
Belichtung
g-line stepper (NA: 0,56)
Entwicklung
AR 300-35, 1 : 2, 60 s, 22 °C

Spinkurve

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