AR-U 4040
Hochauflösender Bildumkehrresist, stark unterschnittene Profile
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Charakterisierung
- BB-UV, i-line, g-line, negativ bis 450 nm belichtbar
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- je nach Verarbeitungsregime pos. oder neg. Bild mit Strukturwiedergaben im Sub-µm-Bereich
- ohne zusätzliche Prozessschritte positiv arbeitend
- hoher Kontrast im Negativmodus, stark unterschnittene Profile möglich (Lift-off)
- Novolak-Bisazid-Kombination– Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm1,4 µm
- Auflösung0,7 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate8-12 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
- 1 x 2.500 ml
- 4 x 2.500 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
1,0 µm Positivstrukturen bei 1,4 µm Schichtdicke
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung90 °C, 1 min, hot plate
- Belichtungg-line stepper (NA: 0,56)
- EntwicklungAR 300-35, 1 : 1, 60 s, 22 °C
Spinkurve
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