X AR-P 5900/4
(Experimentalmuster / Sonderanfertigung)
Positiv-Photoresist, auch als Schutzlack einsetzbar
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Charakterisierung
- Breitband-UV , i-line, g-line
- stabil gegenüber alkalischen Medien, Schicht widersteht 10 Minuten in 2 n Natronlauge
- sehr gute Haftung, auch als Schutzlack einsetzbar
- plasmaätzresistent
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination mit alkaliresistenten Komponenten
- Safer Solvent PGMEA
Interessante Beiträge im Resist-Wiki
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm1,4 µm
- Auflösung2,0 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagerung 6 Monate10 - 18 °C
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 30 ml
- 1 x 100 ml
- 1 x 250 ml
- 2 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
X AR-P 5900/4: Resiststruktur nach Behandlung mit 2 n NaOH
Prozessparameter
- SubstratSi 4" Wafer
- Temperung100 °C, 3 min, hot plate
- Belichtungg-line stepper (NA: 0,56)
- Entwicklung2 n NaOH, 1 min, 22 °C
Spinkurve
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