AR-P 3100 Serie
(AR-P 3110, AR-P 3120, AR-P 3170)
Haftverstärkte Positivresists zur Herstellung von Masken und Feinteilungen
Charakterisierung
- Breitband-UV, i-line, g-line
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- starke Haftung auf kritischen Glas-/Chromflächen für extreme Belastungen bei nasschemischen Prozessen
- für die Fertigung von CD-Mastern und Gittern
- 3170 auch für Laserinterferenzlithographie geeignet
- plasmaätzresistent
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Eigenschaften
AR-P 3110
-
Schichtdicke/4.000 rpm: 1000 nm
-
Auflösung: 0,5 µm
-
Kontrast: 3
-
Flammpunkt: 46 °C
-
Lagerung bis 6 Monate: 10-18 °C
AR-P 3120
AR-P 3170
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
AR-P 3120: Schickdicke 0,6 μm; Resiststrukturen 0,38 μm L/S
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung95 °C, 90 s, hot plate
- Belichtungi-line stepper (NA: 0,65)
- EntwicklungAR 300-47, 1 : 1, 60 s, 22 °C
Resiststrukturen
AR-P 3170: 70-nm-Stege erzeugt mittels Laserinterferenzlithographie