AR-P 3110
Produkt auf Anfrage
Haftverstärkter Positivresist zur Herstellung von Masken und Feinteilungen
Charakterisierung
- Breitband-UV, i-line, g-line
- hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
- starke Haftung auf kritischen Glas-/Chromflächen für extreme Belastungen bei nasschemischen Prozessen
- für die Fertigung von CD-Mastern und Gittern
- plasmaätzresistent
- Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
- Safer Solvent PGMEA
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm1.000 nm
- Auflösung0,5 µm
- Kontrast3,0
- Flammpunkt42 °C
- Lagertemperatur*10-18 °C
- * Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
Passende Prozesschemikalien
Strukturauflösung
Schickdicke 0,6 μm; Resiststrukturen 0,38 μm L/S
Prozessparameter
- SubstratSi 4“ Wafer
- Temperung95 °C, 90 s, hot plate
- Belichtungi-line stepper (NA: 0,65)
- EntwicklungAR 300-47, 1 : 1, 60 s, 22 °C
Linearität
Bis zu einer Strukturbreite von 0,38 ist eine sehr gute Übereinstimmung gegeben. REM-Messungen: Schichtdicke 560 nm, i-line stepper (NA: 0,65), Entwickler AR 300-47 1 : 1.