AR-P 3500 (T) Serie

(AR-P 3510, AR-P 3510 T, AR-P 3540, AR-P 3540 T)

Empfindliche Standardpositivresists für die Herstellung integrierter Schaltkreise

Charakterisierung

  • Breitband, i-line, g-line
  • hohe Lichtempfindlichkeit, hohe Auflösung
  • sehr gute Haftung
  • 3500 T: robust verarbeitbar, geeignet für TMAH-Entwickler 0,26 n
  • plasmaätzresistent, th. stabile Strukturen bis 120 °C
  • Novolak-Naphthochinondiazid-Kombination
  • Safer Solvent PGMEA

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Eigenschaften

  • Schichtdicke/4000 rpm:   2,0 µm
  • Auflösung:                            0,8 µm
  • Kontrast:                               4,0
  • Flammpunkt:                       46 °C
  • Lagerung bis 6 Monate:    10-18 °C

* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

  • 1 x 100 ml
  • 1 x 250 ml
  • 1 x 1.000 ml
  • 6 x 1.000 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Strukturauflösung

AR-P 3540 T: Schichtdicke 1,5 µm, Resiststrukturen 0,5 µm

Prozessparameter

  • Substrat
    Si 4“ Wafer
  • Temperung
    95 °C, 90 s, hot plate
  • Belichtung
    g-line stepper (NA: 0,56)
  • Entwicklung
    AR 300-44, 60 s, 22 °C

Spinkurve

Spinkurve des AR-P 3510/AR-P 3510 T und AR-P 3540/AR-P 3540 T

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