Remover AR 300-70

Zur Entfernung getemperter Photoresist- / E-Beamresist-Schichten

Produktinformation

Ihre Anfrage zu diesem Produkt

Charakterisierung

organisches Lösemittel

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften AR 300-70

Hauptbestandteil
NEP
Flammpunkt
-17 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger

Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

1 x 2.500 ml
4 x 2.500 ml
8 x 2.500 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Dazu passende Produkte

Bottomresist AR-BR 5460

Bottomresist für Zweilagen-Lift-off, für optisch transparente und thermisch belastbare Strukturen bis 140 °C, Schichtdicke 1,0 µm (4.000 rpm)

Bottomresist AR-BR 5480

Bottomresist für Zweilagen-Lift-off, für optisch transparente und thermisch belastbare Strukturen bis 140 °C, Schichtdicke 0,5 µm (4.000 rpm)

E-Beam Resist AR-N 7500-Serie

Hochauflösender, plasmaätzstabiler Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 120 °C

E-Beam Resist AR-N 7520-Serie

Höchstauflösender Resist für mix- & match, für hochpräzise Kanten, thermisch stabil bis 140 °C

E-Beam Resist AR-N 7520neu-Serie

Höchstauflösender, hochempfindlicher Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 140 °C

E-Beam Resist AR-P 617-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, Copolymer 33% MA, Lösemittel: Methoxypropanol

E-Beam Resist AR-P 6200-Serie (CSAR 62)

Kontrastreiche E-Beam Resists mit höchster Auflösung, sehr plasmaätzresistent

E-Beam Resist AR-P 632-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 50 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 639-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 50 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 641-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 642-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 649-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 6510-Serie

Resists für hohe PMMA-Schichten über 250 µm zur Herstellung von Mikrobauteilen

E-Beam Resist AR-P 661-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 662-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 669-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 671-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 672-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 679-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 8100-Serie (Phoenix 81)

Thermolabiler Resist für integrierte Schaltkreise & holografische Strukturen

E-Beam Resist SX AR-N 8200 Serie (Medusa 82)

Vergleichbar mit HSQ, jedoch prozessstabiler, einfacher entfernbar und deutlich haltbarer

E-Beam Resist SX AR-N 8250 Serie (Medusa 82)

Vergleichbar mit HSQ, jedoch prozessstabiler, um den Faktor 20 empfindlicher

Entwickler AR 300-26

Gepufferter Entwickler, für hohen Kontrast, steile Kanten, rasche Entwicklung

Entwickler AR 300-35

Universeller und gepufferter Entwickler, für Schichten bis 6 µm

Entwickler AR 300-44

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,26

Entwickler AR 300-46

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,24

Entwickler AR 300-47

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,20

Entwickler AR 300-475

Metallionenfreier Entwickler für Photoresist und novolakbasierte E-Beam Resist, Hauptbestandteil: TMAH, Normalität bei 0,17

Entwickler AR 600-50

Hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methoxypropanol / Isopropylalkohol

Entwickler AR 600-546

Schwacher, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Amylacetat

Entwickler AR 600-548

Starker, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Diethylketon / Diethylmalonat

Entwickler AR 600-549

Mittelstarker, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Diethylmalonat / Anisol

Entwickler AR 600-55

Starker, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methylisobutylketon (MIBK)

Entwickler AR 600-56

Schwacher, hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für E-Beam Resist, Hauptbestandteil: Methylisobutylketon (MIBK)

Entwickler X AR 600-50/2

Hochreiner und ultrafein-filtrierter Entwickler für selektive T-Gate Anwendungen, Hauptbestandteil: Ethanol

Haftvermittler AR 300-80 neu

Zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Resists, Speziell bei: Metall, SiO2, GaAs. Einfachere und preiswertere Alternative zum HMDS.

Haftvermittler HMDS

Zur Verbesserung der Haftfestigkeit von Resists, Speziell bei: Metall, SiO2, GaAs

Photoresist AR-N 2200 Serie

Einsatzfertige negative Sprühlacke für verschiedene Anwendungen

Photoresist AR-N 4340

Hochempfindlicher Negativresist für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen

Photoresist AR-N 4400 Serie

Dicke und sehr dicke Negativresists für Galvanik, Mikrosystemtechnik und LIGA

Photoresist AR-N 4450-10 T (CAR 44)

Dicker, chemisch verstärkter Resist, galvanostabil, extremer Lift-off-Unterschnitt, hohe Schichten bis 20 µm

Photoresist AR-N 4600-Serie (Atlas 46)

Dicke Negativresists für Galvanik, Mikrosystemtechnik und LIGA < 20 μm

Photoresist AR-P 1200 Serie

Einsatzfertige positive Sprühresists für verschiedene Anwendungen

Photoresist AR-P 3100 Serie

Haftverstärkter Maskenresist, für kritische Glas-/ Chromflächen, Schichtdicke 1,0 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3200 Serie

Dicke Positivlacke für Galvanik und Mikrosystemtechnik

Photoresist AR-P 3500 (T) Serie

Empfindliche Standardpositivresists für die Herstellung integrierter Schaltkreise

Photoresist AR-P 3740

Resist für Sub-µm-Strukturen bis 0,5 µm, Schichtdicke 1,4 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 5300 Serie

Empfindliche Resists für die Herstellung von Aufdampfmustern mittels Lift-off

Photoresist SX AR-N 4340/7

Negativ-Photoresist für Ein- und Zwei-Lagensysteme, thermostabil bis 300 °C

Photoresist SX AR-P 3500/8

Experimentalmuster: Positiv-Photoresist für Hochtemperaturanwendungen bis 300°C

Remover AR 300-70

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 300-72

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 300-73

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 300-76

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Remover AR 600-71

Zur Entfernung getemperter Photoresist- und E-Beamresist-Schichten

Schutzlack AR-PC 504

Lichtunempfindlicher Schutzlack, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,2 µm (4.000 rpm)

Schutzlack AR-PC 5040

Lichtunempfindlicher Schutzlack, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,8 µm (4.000 rpm)

Schutzlack AR-PC 5090.02 (Electra 92)

Leitfähiger Schutzresist für nichtnovolakbasierte E-Beam Resists, Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten

Schutzlack AR-PC 5091.02 (Electra 92)

Leitfähiger Schutzresist für novolakbasierte E-Beam Resists, Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten

Schutzlack AR-PC 5092.02 (Electra 92)

Leitfähiger Schutzlack für E-Beam Resists, Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten

Schutzlack SX AR-PC 5000/41

KOH- und HF-resistenter Schutzlack zum Waferrückseitenschutz

Schutzresist AR-PC 5090.02 (Electra 92)

Leitfähiger Schutzlack für nichtnovolakbasierte E-Beamresists

Top-Layer zur Ableitung von E-Beam-Aufladungen auf isolierenden Substraten

Stopper AR 600-60

Zum Abstoppen von E-Beam-Resist-Schichten nach der Entwicklung, Hauptbestandteil: Isopropanol

Stopper X AR 600-60/1

Zum Abstoppen vom Schutzlack SX AR-PC 5000/41 nach der Entwicklung mit X AR 300-74/1, Hauptbestandteil: Octan

Verdünner AR 300-12

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Verdünner AR 600-02

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Verdünner AR 600-07

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Verdünner AR 600-09

Zur Schichtdickeneinstellung von Photoresists und E-Beam Resists.

Verdünner X AR 300-74/1

Zur Schichtdickeneinstellung vom Schutzlack SX AR-PC 5000/41

Anmeldung zu den AR NEWS