Remover AR 300-76

Zur Entfernung getemperter Photoresist- / E-Beamresist-Schichten

Produktinformation

Ihre Anfrage zu diesem Produkt

Charakterisierung

organisches Lösemittel

Interessante Beiträge im Resist-Wiki

Eigenschaften

Hauptbestandteil
DMG
Flammpunkt
-17 °C
* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger Lagerung
garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.

Verfügbare Bestellgrößen

1 x 2.500 ml
4 x 2.500 ml
8 x 2.500 ml

Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.

Dazu passende Produkte

Bottomresist AR-BR 5460

Bottomresist für Zweilagen-Lift-off, für optisch transparente und thermisch belastbare Strukturen bis 140 °C, Schichtdicke 1,0 µm (4.000 rpm)

Bottomresist AR-BR 5480

Bottomresist für Zweilagen-Lift-off, für optisch transparente und thermisch belastbare Strukturen bis 140 °C, Schichtdicke 0,5 µm (4.000 rpm)

E-Beam Resist AR-N 7500-Serie

Hochauflösender, plasmaätzstabiler Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 120 °C

E-Beam Resist AR-N 7520-Serie

Höchstauflösender Resist für mix- & match, für hochpräzise Kanten, thermisch stabil bis 140 °C

E-Beam Resist AR-N 7520neu-Serie

Höchstauflösender, hochempfindlicher Resist für mix- & match, thermisch stabil bis 140 °C

E-Beam Resist AR-P 617-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, Copolymer 33% MA, Lösemittel: Methoxypropanol

E-Beam Resist AR-P 6200-Serie (CSAR 62)

Kontrastreiche E-Beam Resists mit höchster Auflösung, sehr plasmaätzresistent

E-Beam Resist AR-P 632-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 50 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 639-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 50 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 641-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 642-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 649-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 200 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 6510-Serie

Resists für hohe PMMA-Schichten über 250 µm zur Herstellung von Mikrobauteilen

E-Beam Resist AR-P 661-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 662-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 669-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 600 K, Lösemittel: Ethyllactat

E-Beam Resist AR-P 671-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Chlorbenzen

E-Beam Resist AR-P 672-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Anisol

E-Beam Resist AR-P 679-Serie

Höchstauflösende Resists für die Nanometerlithographie, PMMA 950 K, Lösemittel: Ethyllactat

Photoresist AR-N 2210

Einsatzfertiger Sprühresist, Bedeckung senkrechter Gräben, Schichtdicke 0,5-10 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-N 2220

Einsatzfertiger Sprühresist zur Ätzung 54°-Böschungen, Schichtdicke 0,5-10 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-N 4340

Hochempfindlicher, chemisch verstärkter Resist (CAR), thermostabil bis 220 °C (Nachbehandlung)

Photoresist AR-P 3110

Haftverstärkter Maskenresist, für kritische Glas-/ Chromflächen, Schichtdicke 1,0 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3120

Haftverstärkter Maskenresist, für kritische Glas-/ Chromflächen, Schichtdicke 0,6 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3170

Haftverstärkter Maskenresist, für kritische Glas-/ Chromflächen, Schichtdicke 0,1 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3250

Dicker Resist für Galvanik und Mikrosystemtechnik, hohe Kantensteilheit, Schichtdicken bis 20 µm

Photoresist AR-P 3510

Empfindlicher Resist großer Prozessbreite, universell einsetzbar, Schichtdicke 2,0 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3510 T

Empfindlicher Resist großer Prozessbreite, TMAH-Entwickler 0,26n, Schichtdicke 2,0 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3540

Empfindlicher Resist großer Prozessbreite, universell einsetzbar, Schichtdicke 1,4 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3540 T

Empfindlicher Resist großer Prozessbreite, TMAH-Entwickler 0,26n, Schichtdicke 1,4 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 3740

Resist für Sub-µm-Strukturen bis 0,5 µm, Schichtdicke 1,4 µm (4.000 rpm)

Photoresist AR-P 5350

Empfindlicher Resist zur Herstellung von Aufdampfmustern (Lift-off), Schichtdicke 1,0 µm (4.000 rpm)

Photoresist SX AR-P 3500/8

Experimentalmuster: Positiv-Photoresist für Hochtemperaturanwendungen bis 300°C

Schutzresist AR-PC 504

Lichtunempfindlicher Schutzresist, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,2 µm (4.000 rpm)

Schutzresist AR-PC 5040

Lichtunempfindlicher Schutzresist, 40 % KOH-ätzstabil, farblos, Schichtdicke 2,8 µm (4.000 rpm)

Schutzresist AR-PC 5091.02 (Electra 92)

Leitfähiger Schutzresist für novolakbasierte E-Beam Resists, Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten