E-Beam Resist AR-PC 5091.02 (Electra 92)
Leitfähiger Schutzresist für novolakbasierte E-Beam Resists
Top-Layer zur Ableitung von Aufladungen auf isolierenden Substraten
Charakterisierung
- ist als Schutzresist nicht licht-/strahlungsempfindlich
- dünne, leitfähige Schichten zur Ableitung von Aufladungen bei der Elektronenbestrahlung
- Beschichtung auf Novolak E-Beam Resist wie AR-N 7000
- langzeitstabile, preisgünstige Espacer-Alternative
- leichtes Removing mit Wasser nach Bestrahlung
- Polyanilin-Derivat gelöst in Wasser und Isopropanol
Eigenschaften
- Schichtdicke/4.000 rpm42 nm
- Schichtdicke/1.000 rpm100 nm
- Leitfähigkeit (60nm)1,2 S/m
- Flammpunkt28 °C
- Lagerung bis 6 Monate8-12 °C* Die Produkte sind 6 Monate ab Verkaufsdatum bei vorschriftsmäßiger
Lagerung garantiert haltbar und darüber hinaus ohne Gewähr bis Etikettendatum verwendbar.
Passende Prozesschemikalien
- RemoverDI-Wasser
Ableitung von Aufladungen
Auf Quarz geschriebene 200 nm große Quadrate ohne Verzeichnungen durch Aufladungen mit AR-P 662.04 und AR-PC 5090.02.
Prozessparameter
- Substrat4“ Quarz-Wafer mit AR-P 662.04
- Beschichtung2000 rpm, 60 nm auf E-Beamresist
- Temperung85 °C
Leitfähigkeit
Leitfähigkeitsmessungen der durch Schleuder-beschichtung erzeugten Schichten des AR-PC 5090. Mit dünneren Schichten nehmen der Widerstand zu und die Leitfähigkeit ab.
Verfügbare Bestellgrößen
- 1 x 30 ml (Testmuster)
- 1 x 100 ml (Testmuster)
- 1 x 250 ml
- 1 x 1.000 ml
- 6 x 1.000 ml
Für weitere Wünsche nehmen Sie bitte Kontakt mit uns auf.
CSAR 62 auf Glas + Electra 92
Abb.: 30 – 150 nm Quadrate des CSAR 62 auf Glas
Die Kombination von CSAR 62 mit AR-PC 5090.02 bietet beste Möglichkeiten, komplizierte E-Beam-Strukturierungen auf Glas, Quarz oder semiisolierenden Substraten wie z.B. Galliumarsenid durchzuführen. Die sehr gute Empfindlichkeit und höchste Auflösung des CSAR werden durch die Leitfähigkeit des Electra harmonisch ergänzt.
PMMA-lift-off auf Glas mit Electra 92
200 nm Quadrate erzeugt mit 2-Lagen-PMMA-Lift-off
Auf einem Glas-Substrat wurde zuerst der PMMA-Resist AR-P 669.04 (200 nm dick) beschichtet und getempert. Darauf wurde der zweite PMMA-Resist AR-P 679.03 (150 nm dick) aufgebracht und getempert. Dann folgte die Beschichtung mit Electra 92. Nach der Bestrahlung wurde Electra mittels Wasser entfernt, die PMMA-Strukturen mit AR 600-56 entwickelt und das Substrat mit Titan/Gold bedampft. Nach dem Liften mit Aceton blieben die gewünschten Quadrate hochpräzise auf dem Glas zurück.
Electra 92 mit HSQ auf Quarz
20 nm Stege des HSQ (auf Quarz mit AR-PC 5090)
Nach der Beschichtung mit Electra 92 auf den HSQ-Resist kann auch dieser auf einem Quarzsubstrat mit sehr guter Qualität strukturiert werden. Der HSQ-Resist (20 nm dick) wurde mit der notwendigen Flächendosis von 4300 μC/cmÇ bestrahlt. Anschließend wurde der leitfähige Resist AR-PC 5090 innerhalb von 2 Minuten mit warmem Wasser vollständig entfernt, es konnten keinerlei Rückst.nde beobachtet werden. Nach der Entwicklung des HSQ-Resists blieben die Strukturen mit hochpräzisen 20-nm-Stegen stehen.
Wissenschaftsposter MNE 2016
