Produktentwicklungen
Cases von Papa schreiben lassen
“Wissen live” Best-Practice-Beispiele unter dem Motto: Wissen schafft Vorsprung
1. Wie ist ein E-Beam Resist aufgebaut und wie funktioniert er?
1. Wie ist ein Photoresist aufgebaut und wie funktioniert er?
10. Welche Entwickler sind für welche Photolacke optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?
10. Wie hoch ist die Ätzresistenz der E-Beam Resists gegenüber starken Säuren?
11.Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von E-Beamresistschichten?
11.Wie sind Photolackschichten wieder entfernbar?
12. Welche Anwendungsgebiete haben Schutzlacke (Protective Coating)?
13. Wie arbeiten Umkehrlacke (Image Reversal Resists)?
14. Wie entsteht ein Unterschnitt (Lift-off) bei Einlagen- und Zweilagensystemen?
15 Jahre Allresist und auf dem Mikrosystemkongress in Dresden
15. Wie werden Dicklacke > 10 µm optimal prozessiert?
16 Jahre Allresist – AR NEWS und neue Parameter
16.Welche Auflösung und welchen Kontrast haben Photoresists?
17. Wie hoch ist die Plasmaätzresistenz von Photoresists?
18.Wie hoch ist die Ätzresistenz der Photolacke gegenüber starken Säuren?
19.Welche Photolacke sind für Flusssäure (HF)-Ätzungen geeignet?
2. CIMAT-TEAM Workshop
2. Platz für Brigitte Schirmer als Unternehmerin des Landes Brandenburg 2014
2. Wie lange sind E-Beamresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?
2. Wie lange sind Photoresists haltbar und welches sind die optimalen Lagerbedingungen?
20. Wie hoch ist die Lösemittelbeständigkeit von Photoresistschichten?
24. Ausgabe der AR NEWS
25 Jahre Allresist
25. Ausgabe der AR NEWS
26. Ausgabe der AR NEWS
27. Ausgabe der AR NEWS
28. Ausgabe der AR NEWS
29. Ausgabe der AR NEWS
2L-Lift-off-System AR-P 617 – AR-P 8100
3. Wie wirken sich Alterungserscheinungen bei Photoresists aus?
3. Wie ist die optimale Subtratvorbehandlung für E-Beam Resists?
30 Jahre Allresist
30. Ausgabe der AR NEWS
31. Ausgabe der AR NEWS
32. Ausgabe der AR News
33. Ausgabe der AR NEWS
34. Ausgabe der AR NEWS
35. Ausgabe der AR NEWS
36. Ausgabe der AR NEWS
36. Ausgabe der AR News
37. Ausgabe der AR NEWS
38. Ausgabe der AR NEWS
39. Ausgabe der AR NEWS
4. Überwachungsaudit
4. Wie ist die optimale Substratvorbehandlung für Photoresists?
4. Wie ist die Haftung von E-Beam Resists auf unterschiedlichen Wafern?
40. Ausgabe der AR NEWS
41. Ausgabe der AR NEWS
42. Ausgabe der AR NEWS
43. Ausgabe der AR NEWS
44. Ausgabe der AR NEWS
45. Ausgabe der AR NEWS
46. Ausgabe der AR NEWS
47. Ausgabe der AR NEWS
48. Ausgabe der AR NEWS
49. Ausgabe der AR NEWS
5. Wie ist die Haftung von Photoresists auf unterschiedlichen Wafern?
5. Wie erfolgt die Belichtung von E-Beam Resists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis?
50. Ausgabe der AR NEWS
6. Wie sind die optimalen Beschichtungsbedingungen für ein gutes Schichtbild bei Photoresists?
6.Welche Entwickler sind für welche E-Beam Resists optimal und welchen Einfluss haben Entwicklerkonzentration und Temperatur?
7. Wie entstehen bei Photoresistschichten Luftbläschen und wie sind sie vermeidbar?
7. Wie sind E-Beamresistschichten wieder entfernbar?
8. Welche Auflösung haben E-Beam Resists?
8. Welche Funktion hat die Temperung (Softbake) der Photoresistschichten nach der Beschichtung?
9. Wie hoch ist die Plasmaätzresistenz von E-Beam Resists?
9.Wie erfolgt die Belichtung von Photoresists? Wie erreicht man die optimale Belichtungsdosis? Wie lange können beschichtete und belichtete Substrate vor der Belichtung aufbewahrt werden?
Abstract CSAR 62 auf der HARMNST 2013 angenommen
Alkaliresistente Resists
Alkalischer Entwickler für Aluminiumsubstrate
Alkalistabiler Positivlack nach Behandlung mit HMDS
Alkalistabiler und lösemittelbeständiger Negativresist
Alkalistabiler, leicht strukturierbarer Positivresist SX AR-P 5900/8
Allgemeines: Resistzusammensetzung
Allresist 67. Umweltpartner in Brandenburg
Allresist auf dem Kongress EIPBN in Puerto Rico
Allresist auf der MNE (Wien) und Semicon (Grenoble)
Allresist auf der MNE und Semicon
Allresist auf der MNE und SEMICON 2015 – Vorstellung des Electra 92 und Neues zum CSAR 62
Allresist auf der Semicon 2013 in Dresden
Allresist auf der Semicon China
Allresist auf der Semicon in Dresden
Allresist bewirbt sich um den Ludwig Erhard Preis
Allresist erhält Qualitätspreis Berlin-Brandenburg 2010
Allresist erhöht wiederum nicht die Preise
Allresist erneut Aussteller auf der Messe „SEMICON Europa“
Allresist erreicht zweite Stufe des “Großen Preises des Mittelstandes”
Allresist erringt im 20. Jahr ihres Bestehens den Ludwig-Erhard-Preis 2012
Allresist gewinnt Brandenburger Innovationspreis 2014
Allresist GmbH als Exzellente Wissensorganisation ausgezeichnet
Allresist hat zertifiziertes Umweltmanagement nach DIN EN ISO 14001
Allresist im neuen Gewand
Allresist in Strausberg
Allresist ist Deutschlands Kundenchampions 2010
Allresist ist in der Finalrunde bei der Bewerbung um den Qualitätspreis Berlin-Brandenburg 2008
Allresist ist Preisträger bei der Verleihung des Brandenburger Technologietransferpreises 2008
Allresist mit einer Auszeichnung – dem 2. Platz beim Ludwig-Erhard-Preis geehrt
Allresist nimmt am Projekt Wissenbilanz “3 W” teil
Allresist Sieger der Exzellenten Wissensorganisation
Allresist sponsort die 11th EUROPEAN CONFERENCE on ORGANIZED FILMS
Allresist stellt auf der SEMICON Korea 2011 aus
Allresist unterstützt die Ukraine
Allresist unterstützt Strausberg beim Kampf um die Kompetenzzentren
Allresists neue Produktentwicklungen in den Startlöchern
Alternativen zu NMP-haltigen Removern
Aluminiumstrukturen direkt entwickelt
Aluminiumstrukturen direkt entwickelt
Am 30.01.2024 wegen Strategie-Workshop nicht erreichbar!
Andere Bestandteile von Resists
Anpassungsfähiger Zweilagenresist AR-BR 5460 für variable Lift-off-Strukturen
April 2011: Zweilagensystem für 30-nm-Lift-off Strukturen
April 2012: Negativ-Lift-off-Photoresist AR-N 4450
April 2013: E-Beamresist CSAR 62 – ZEP 520 Alternative (Teil 1)
April 2014: E-Beamresist CSAR 62 – ZEP 520-Alternative (Teil 2)
April 2015: Hochempfindlicher Negativresist AR-N 4400-10
April 2017: Thermisch entwickelbarer Positivresist Phoenix 81
April 2018: Fluoreszierende Negativ-Photoresists Atlas 46 S
April 2019: Phoenix 81
April 2021: CSAR 62 – weltweit begehrt
April 2022: Neuer, umweltfreundlicher Entwickler für PMMA-Resists AR 600-57
April 2023: Der E-Beam PMMA-Resist AR-P 672.045 – das Arbeitspferd für die Elektronenstrahl-Lithographie
AR-N 7700, 4 µm dick, Proximity-Effekt
AR-P 617 Zweilagen-lift-off System
ATLAS 46 allgemein
Atlas 46 für die E-Beam-Lithographie
ATLAS 46 für Nanoimprint-Lithografie
Aufladung
Auflösungsvermögen
Ausbleichbare Resists
Auszeichnung für Allresist als Deutschlands Mitarbeiterchampions 2012
Auszeichnung für Allresist als Exzellente Wissenorganisation durch das Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie
Auszeichnung im Qualitätspreis Berlin-Brandenburg für die Allresist GmbH
Auszeichnung zum “Arbeitgeber der Zukunft”
Belichtung
Benchmarking-Workshop bei Allresist
Beschichtungsbedingungen
Bestimmung der Leitfähigkeit von Electra 92-Schichten auf Glas
Bewerbung um den Zukunftspreis und Einführung einer umfassenden ERP-Software
Black-Protect – stabiler Schutzlack für HF- und KOH-Ätzungen
Blitzsauber auf Krise reagiert (MOZ)
BOE-Ätzung von SiO2 mit CSAR 62-Maske
Brandenburger High Tech Lack CSAR 62 … Einweihung unseres Anbaus … 22 Jahre Allresist
Brandenburger Innovationsfachkräfte
Brandenburgs Wirtschaftsminister Albrecht Gerber bei Allresist zu Besuch – Photovoltaikanlage verbessert Ökobilanz 2015
Brigitte Schirmer als Unternehmerin des Landes Brandenburg mit der Silbermedaille ausgezeichnet
Brigitte Schirmer zur Qualitätsbotschafterin Berlin-Brandenburg berufen
CAR 44 auf Kupfer
CAR 44 für die E-Beam-Lithographie
Chemisch verstärkter Negativresist (Prozessparameter und Auflösung)
Chemisch verstärkter Negativresist ohne Vernetzungstemperung
Chemisch verstärkter, hochempfindlicher Negativ-E-Beamresist SX AR-N 7730/37
CIMAT Workshop in Golm
CSAR 62 dicke Schichten
CSAR 62 Einlagen-lift-off System
CSAR 62 für dicke Schichten
CSAR 62 für EUV-Anwendungen
CSAR 62 lift-off für dicke Schichten
CSAR 62 Vermeidung von Partikeln bei großflächigen Bestrahlungen
CSAR 62 – Wirkprinzip
CSAR 62-Entwicklung bei tieferen Temperaturen
CSAR 62-Untersuchungen zu neuen empfindlichen Entwicklern
CSAR 62: Full-Paper-Veröffentlichung im SpringerVerlag und Verkaufsbeginn am 3. Juni
CSAR-Strukturen auf Glas
Der Gesellschaft und Umwelt verpflichtet (Forum)
DGQ bei Allresist zum Erfahrungsaustausch
Dicker CSAR 62
Die Erfolgsgeschichte des Electra 92
Diffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist
Diffraktive Optiken mit dem „analogen“ E-Beamresist X AR-N 7700/18
Dosisabhängige Strukturgröße bei Negativresists
Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
E-Beam Resist
E-Beam Resist: Verfahren
E-Beam Resists auf Basis von Polyphthalaldehyden
E-Beam-Lithographie an 5 µm dicken Resistschichten
E-Beam-Resists: Allgemeines
Eingefärbte Negativ-Photoresists
Einladung zur SEMICON Europa 2007 nach Stuttgart vom 9. – 11. Oktober
Einlagen- und Zweilagen-lift-off
Einsatz von Electra 92 für REM-Anwendungen
Einweihung des neuen 450 m² großen Anbaues zum 26. Firmenjubiläum
Electra 92-Variante optimiert für Novolak-basierte Resists
Elektronenstrahllacke (Resists)
Elektronenstrahllithografiesysteme
Elektronenstrahlresists auf Basis von Polyphthalaldehyden, Uni Tübingen
Empfindlicher Negativ PMMA-Resist (CAR)
Empfindlicher Negativ-E-Beamresist auf der MNE 2010 in Genua vorgestellt
Empfindlicher Negativresist für 405-nm-Laser-Direktbelichter
Empfindlicher, ätzstabiler Negativ-E-Beamresist für Arbeiten ohne Gelblicht
Entwickler AR 300-35 für alkaliempfindliche Substrate
Entwickler für CSAR 62 (AR-P 6200)
Entwickleralterung
Entwicklerkaskade
Entwicklertypen
Entwicklung dicker Negativresistschichten
Entwicklungsverfahren
Erfolgreiche Zertifizierung nach DIN ISO 9001:2000
Erfolgreicher Abschluss der Semicon Europe für Allresist
Erfolgreiches QMS-Wiederholungsaudit
Erzeugung senkrechter Flanken mit CAR44
Erzeugung von Sekundärelektronen
Erzeugung von unterschnittenen Strukturen mittels Negativresists
Ethanol und Toluol beständiger Photoresist AR-U 4060
Eurostar-Projekt: PPA-Litho
Eurostar-Projekt: PPA-Litho
Evaluierung diverser Entwickler für E-Beam belichtete CSAR 62-Schichten (100kV)
Fachartikel in der Nanotechnologie (Electra 92)
FAQ´s der Allresist – Beginn eines Diskussionsforums
Fluoreszierende Resiststrukturen E-Beam-Resists
Fluoreszierende Resiststrukturen Photoresists
Förderung unternehmensWert:Mensch
Forschungsprojekte
Gebrauchsfertige Sprühresists mit EVG-Geräten (Positiv und Negativ)
Gemeinsam gegen Corona – preiswerte Lieferung von Desinfektionsmitteln
GMM-Workshop Technologien und Werkstoffe in der Mikro- und Nanosystemtechnik
Grundlagen
Gründung des German Innovation Centrums in Changzhou (China)
Haftfestigkeit
Haftfestigkeit des AR 300-80
Haftvermittler Allgemein
HARMST 2005 in Korea
Herstellung plasmonischer Strukturen mit CSAR 62
Herstellung unterschnittener Strukturen in 3-Lagenprozessen für T-Gates
HF-Ätzung von GaAs mit CSAR 62-Maske
Hochauflösender Negativ-E-Beamresist
Hochauflösender Negativ-E-Beamresist AR-N 7520.17neu für Ätzanwendung
Hochauflösender PMMA-Einlagen-Resist
Hochempfindlicher E-Beamresist AR-P 617 (PMMA-Copolymer)
Hochempfindlicher Negativresist für i-line-Lithographie – AR-N 4300
Hohe Auflösung auf Quarz durch Electra 92 auf einem HSQ-Resist
IHK-Urkunde für vorbildliche CO2-Bilanz
Innovative Neuentwicklungen auf der MNE 2017
Interferenzlithographie
Investition in die Sonne – Allresist schafft mit Photovoltaik nachhaltigen Nutzen
Januar 2011: Schnelltrocknender, hochauflösender Resist für Feinteilungen
Januar 2012: Laser-Belichtung von > 500 nm bis NIR
Januar 2013: SX AR-N 4340/8 für Laser-Interferenz-Lithographie
Januar 2015: Hochtemperaturbeständiger Positivresist SX AR-PC 3500/8
Januar 2016: Electra 92 Produktionseinführung
Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200
Januar 2017: Optimierung des Negativ-Sprühresist AR-N 2200
Januar 2018: SU 8-Alternative – Negativ-Photoresist Atlas 46
Januar 2020: Schwarzlack SX AR-N 8355/7
Januar 2021: Optimierter Prozess für den Negativ-Photoresist Atlas 46
Januar 2022: Vielseitiger Phoenix 81 (AR-P 8100)
Januar 2023: Der Standardresist AR-P 3510 – 30 Jahre auf dem Weltmarkt
Januar 2024: Electra 92 am Markt etabliert – AR-PC 5092.02
Juli 2010: SX AR-N 7520/3 – erste Ergebnisse auf der MNE 2010 in Genua
Juli 2011: SX AR-P 7100 – ein silylierbarer Resist
Juli 2012: Innovation zur 32-nm-Technologie: SX AR-N 7520/4
Juli 2013: Thermostabiles Zweilagensystem – SX AR-N 4340/10 & AR-P 5460
Juli 2014: Electra 92 – leitfähiger Schutzlack für E-Beam-Applikationen
Juli 2015: Prozessangepasster Zweilagenresist AR-BR 5460
Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist für die Photolithographie
Juli 2018: Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist
Juli 2020: Bottom-Resist AR-BR 5400, das „Arbeitspferd“ für Zweilagenprozesse
Juli 2021: Car 44 für galvanische Abformungen
Juli 2022: Unser Resist-Triplett des Monats auf der Triple-Beam (EIPBN 2022)
Juli 2024: Medusa 84 AR-N 8400 SiH, die verbesserte HSQ-Alternative in der Markteinführung
Kaufmännische/n Sachbearbeiter/in für die Auftragsbearbeitung (m/w/d)
Kleine Firma – großer Effekt (MOZ)
Kollabieren von extrem aufgelösten E-Beam-Resiststrukturen
Kooperation in China begonnen
Kundenbrief zu unseren Produktentwicklungen der Hightech-Resists Medusa, Electra und Phoenix
Kundeninformationen zum Jahresbeginn 2014
Lagerung und Alterung
Langzeitstabilität von Electra 92
Laser-Direktbelichtung mit dem AR-P 3540
Laserablation von PPA (Phoenix 81)
Leitfähigkeit unter den Anwendungsbedingungen der E-Beam Lithographie
Lichtempfindliche Komponenten
Lift off (Einlagen – Zweilagen)
Lösemittel in E-Beamresists
Lösemittel Remover
Lösemittel und Arbeitsschutz
Medusa 82 auf der MNE auf Rhodos
Medusa 82 für EUV-Anwendungen
Medusa 82 mit Photoacidgenerator (PAG)
Medusa 82 Post-Exposure-Bake Einfluss (PEB)
Medusa 82 – die Alternative zum HSQ-Resist, Lagerstabilität
Ministerpräsident Dietmar Woidke besucht Allresist in Strausberg
Mit 100kV geschriebene CSAR 62-Nanostrukturen
Mit NIR-Lasern strukturierbare Photoresists
MNE-Erfolg mit Medusa 82 in Kopenhagen
Nachhaltiger Klimaschutz bei Allresist – Bestimmung des CO2-Fussabdrucks
Nasschemisches Ätzen
Negativ-CAR PMMA Resist SX AR-N 4810/1
Negativ-Poly(hydroxystyren)- und -(hydroxystyren-co-MMA)-Photoresist mit hoher Thermobeständigkeit
Negativ-Polyimid-Photoresist
Negativ-Zweilagen-lift-off System
Neue Entwickler für AR-P 617
Neue Entwickler für PMMAcoMA (AR-P 617, 50 kV)
Neuer AR 300-80 mit Kontaktwinkelmessung
Neuer Entwickler für AR-P 5320
Neuer Lösemittel Remover
Neuer Safer Solvent Remover AR 300-76
Neues Verfahren zur Sprühbeschichtung tiefer Topologien mit SX AR-P 1250/20
Nominierung für das Finale des Innovationspreises Berlin/Brandenburg
Oktober 2010: SX AR-P 3210/22 – Dicklack mit verbesserter Abbildungsgüte
Oktober 2011: SX AR-N 5000/40 – Ein Zweilagen-Resistsystem zur Flusssäureätzung
Oktober 2012: Negativ-Photoresists AR-N 4400 – optimiertes Trocknungsregime
Oktober 2013: Thermostabiler Negativresist SX AR-N 4340/6
Oktober 2015: E-Beamlithographie auf Glas – CSAR 62 & Electra 92
Oktober 2016: Optimierte T-Gate-Struktur mit Dreilagensystem
Oktober 2017: Fluoreszierende Resiststrukturen mit SX AR-P 672.08
Oktober 2018: Medusa 82 – Stabiler und empfindlicher als der HSQ
Oktober 2019: Medusa 82 UV
Oktober 2021: Effizientere Herstellung von Electra 92
Oktober 2022: Electra 92 weiter optimiert – ein neuer AR-PC 5092
Oktober 2023: Medusa 84 SiH – SX AR-N 8400 eine weitere Alternative zum HSQ
Oktober 2024: Weltweites Interesse für Medusa 84 – SX AR-N 8400 SiH
Oktober 2014: Safer Solvent Schutzlack SX AR-PC 5040/1
Phoenix 81 – Lagerbedingungen und Versand
Photoresistbeschichtungen auf Teflonsubstraten
Photoresists Allgemein
Platz für vier Asien-Projekte (MOZ)
PMMA-E-Beamresist mit flacher Gradation für dreidimensionale Strukturen
PMMA-E-Beamresist positiv und bei Überbelichtung negativ, geeignet für Brückenstrukturen
PMMA-Lift-off-Strukturen auf Halb-Edelstein-Substraten mittels Electra 92
PMMA-Schutzlack Reduzierung des Zuckerwatte-Effektes
Polyimid-Zweilagensystem
Polymere (Schichtbildner)
Positiv-Polyimid-Einlagenresist
Positiv-Polyimid-Resist für die E-Beam-Lithographie
Positiv-Zweilagen-lift-off System
Positivresist für temperatur-empfindliche Substrate
Poster auf der HARMST 2007 in Besancon
PPA für Zweilagenanwendungen
Presseempfang bei Allresist für “10 Jahre Allresist in Strausberg und 2. Platz beim Ludwig-Erhard-Preis”
Presseerklärung zur Europawoche von Minister Christoffers
Prinzipien und Funktionsweisen
Produktentwicklungen
Produktionstrakt-Erweiterung
Produktmanager / technischer Kundenberater (m/w/d)
ProFIT Brandenburg: Strukturierung von druckbaren QD-LEDs
Proximity-Effekt
Prozessablauf E-Beamresist
Prozessablauf Photoresists
Prozessbedingungen
Qualifizierungsmaßnahmen im Rahmen des QMS
Qualität boxt sich durch
Qualitätspolitik der Allresist
Qualitätspreis Berlin-Brandenburg 2012 ausgelobt
Qualitätstag Berlin-Brandenburg 2009
Raster- und Vector-Scan-Prinzip
Reinigung der Substrate
Remover Allgemein
Resist für 488 nm Belichtungswellenlänge
Resist für das Nahe Infrarot (NIR)
Resist-Wiki
Resist-Wiki online und neue Elektronenstrahlresists
Resists für den Wellenlängenbereichvon 488 nm
RKW-Arbeitskreis Qualität bei Allresist
Safer solvent PMMA-Schutzlack
SCALPEL
Schirmers beim Pressefrühstück in Staatskanzlei: Brandenburg ist eine erfolgreiche Wirtschaftsregion 25 Jahre nach dem Mauerfall
Schreibzeit
Schutzlack als Sprühresist zur Oberflächenglättung
Schutzlack gegen mechanische Beschädigungen
Schutzlacke für KOH-Ätzungen
Schwarzlack
Sensor Messe in Nürnberg
Spende für ausgefüllte Kundenumfragen
Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Negativ)
Sprühlacke für unterschiedliche Topologien (Positiv und Negativ)
Stabilisierung/ Härtung von Lackschichten
Stopper
Streifzüge durch die Lithographie der Mikroelektronik (Matthias Schirmer)
Streuung
Strombilanz der Allresist-Photovoltaikanlage
Strukturierung des leitfähigen Schutzlacks Electra 92
Strukturierung mittels Ablation des Resistmaterials
Strukturierung von Polyphthalaldehyden mittels Photolithographie
Surface Imaging Resistsystem SX AR-N 7100 – silylierbarer Photoresist
SX AR-PC 5060 F-Protect (Cytop-Ersatz)
T-Gates mit dem Dreilagensystem CSAR 62 / PMMAcoMA / PMMA
Technologietransferpreis an Allresist und IDM e.V. verliehen
Temperaturbeständigkeit E-Beam-Polymere
Temperaturstabiler Negativresist
Thermisch stabile Zweilagen-lift-off-Systeme
Thermo-strukturierbare Polymere – neue Lithographie-Anwendungen
Thermostabile Photoresists
Tickets für Sie – Allresist auf der Messe „SEMICON Europa“
Top Surface Imaging E-Beamresist
Top Surface Imaging Photoresist – Wirkprinzip
Trockenchemisches Ätzen
Umweltministerin Anita Tack übergibt Allresist Urkunde zur Umweltpartnerschaft
Unser CSAR 62 – Ihre attraktive Alternative zum ZEP – ab 2. Mai verfügbar
Unterstützung für Gnadenhof – “Letzte Zuflucht” in Letschin
UV-Härtung
UV-Strukturierung PMMA Resists
Verbesserter Schutzlack SX AR-PC 5000/31
Verdienstorden des Landes Brandenburg für Brigitte und Matthias Schirmer
Verdünner (Lösemittel)
Verdünnung von Resists
Verhältnis Auflösung und Dosis am Beispiel des E-Beamresist SX AR-N 7530/1
Verleihung des Qualitätspreises Berlin-Brandenburg 2012 in Gegenwart der Qualitätsbotschafterin Brigitte Schirmer
Vernetzer (cross linker)
Verwendung von CSAR 62 zur Herstellung von Nanostrukturen auf GaAs-Substraten
Verwendung von PPA in Mehrlagenprozessen
Viele Lösemittel in leichteren HDPE-Flaschen
Vorstellung CSAR 62 auf der MNE 2013 in London
W+M-Artikel: Das Monopol geknackt
Wasserbasierte Resists
Wasserfrei entwickelbarer Speziallack SX AR-N 4810/1
Wässrig-alkalische Remover
Wässriger Negativresist auf Gelatine Basis
Weitere experimentelle Entwickler für AR-P 617
Wichtige Informationen zu Lieferungen zwischen den Jahren
Wichtige Informationen zu Lieferungen zwischen den Jahren 2024 / 2025
Wiederentfernbarer Negativresist für dicke Schichten – CAR 44
Zeitungsartikel zu 25 Jahren Allresist