Resist des Monats Juli 2016: Negativ-PMMA-Resist (Photolithographie)

Resist des Monats Juli 2016

Ein Negativ-PMMA-Resist für die Photolithographie, der SX AR-N 4810/1

Empfindliche Substrate vertragen keine wässrig-alkalische Entwickler. Für solche Fälle wurde vor einigen Jahren der X AR-N 4800/16 entwickelt. Dieser Resist erfüllte die an ihn gestellten Anforderungen, jedoch gelang mit ihm nur ein Schichtaufbau auf 70 % bei mäßiger Empfindlichkeit.

Im Sinne der stetigen Verbesserung unserer Produkte wurde von Allresist das Prinzip der chemischen Verstärkung auf einen PMMA-Resist übertragen. Dadurch erhöht sich die Empfindlichkeit erheblich und die Belichtungswellenlänge vergrößert sich auf den Bereich von 300 bis 436 nm. Auch der Schichtaufbau erreicht die Ausgangsschichtdicke.

Der SX AR-N 4810/1 kann nun für die erwähnte wasserfreie Photolithographie eingesetzt werden. Es zeichnen sich jedoch noch andere Anwendungen ab. So kann die Schicht bei ganzflächiger Belichtung und Temperung komplett vernetzt werden, wodurch sie sehr gut als Unterschicht in dünnen Mehrlagensystemen eingesetzt werden kann.

Durch die Vernetzung besteht bei den dünnen Schichten nicht mehr die Gefahr, dass der zweite Resist beim Beschichten die erste Lage angreift. In dem Eurostar Projekt PPA-Litho kann so der neue PPA-Resist (in Anisol) auf eine 20 – 30 nm dicke PMMA-Schicht aufgetragen werden.

Jedoch werden auch Versuche gemacht, ob der vernetzbare PMMA-Resist die Kalilauge-Stabilität in den Schutzlacken AR-PC 503 und AR-PC 504 erhöhen kann. In den AR NEWS im Oktober werden wir die Ergebnisse vorstellen.

Die Vielseitigkeit des neuen PMMA-Lackes SX AR-N 4810/1 war Anlass, ihn zum Resist des Monats zu machen.

PMMA-Strukturen_mit_SXAR-N4810-1

PMMA-Strukturen mit dem SX AR-N 4810/1

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