E-Beam Resist

Streifzüge durch die Lithographie der Mikroelektronik (Matthias Schirmer)

Seit der letzten Ausgabe von „Ullmanns Imaging for Electronics“ von 1989 nahm die Photolithographie einen derart rasanten Aufschwung, dass es angesichts des knappen Platzes hier kaum möglich ist, hier mehr als nur einen kurzen repräsentativen Überblick zu geben. Zu jedem Kapitel, zu jeder Technologie und zu jedem Verfahren gibt es jedoch noch eine Vielzahl von Fakten, die für den interessierten Leser anhand der Literaturstellen nachzuvollziehen sind.
19. Mai 2020/von AllAdmin

Interferenzlithographie

Die Interferenzlithographie ist eine seltener genutzte Methode zur Strukturierung. Das Prinzip ist das gleiche wie in der Interferometrie oder auch Holographie. Durch die Überlagerung zweier oder auch mehrerer kohärenter Lichtwellen kommt es zur Ausbildung eines periodischen Interferenzmusters.
4. Juli 2016/von AllAdmin

Bestimmung der Leitfähigkeit von Electra 92-Schichten auf Glas

Die spezifische Leitfähigkeit in dünnen Schichten kann mit unterschiedlichen Methoden ermittelt werden, z.B. berührungsfrei durch Wirbelstrommapping oder auch nach einer direkten Kontaktierung mittels Vierpunktmethode (Vierspitzenmessung).
19. Januar 2016/von AllAdmin

Stabilisierung/ Härtung von Lackschichten

Zahlreiche Anwendungen erfordern strukturierte Resistarchitekturen die durch eine nachträgliche Härtung gegenüber organischen Lösungsmitteln langzeitstabil werden. Die novolakbasierten Lacke zeigen nach Härten bei Temperaturen >150°C, im Fall der CAR-Resists zusätzlich unterstützt durch eine intensive Flutbelichtung
20. Mai 2015/von AllAdmin

Polymere (Schichtbildner)

Polymethylmethacrylate (PMMAs) finden breite Verwendung z.B. in der Elektronenstrahllithographie. Sie entstehen durch Polymerisation von Methacrylsäuremethylesters in Gegenwart von Radikalstartern (Verweis)
20. März 2013/von AllAdmin

Aluminiumstrukturen direkt entwickelt

Strukturen aus Aluminium werden üblicherweise durch die Herstellung einer Lackmaske und anschließendem nasschemischen Ätzen erzeugt. Mit dem Negativlack SX AR-N 4360/1 kann die elegante Methode der Direktentwicklung angewendet werden.
27. Februar 2013/von AllAdmin

Belichtung

Kontaktbelichtung In einer Kontaktbelichtung werden Fotomaske und Substrat in direkten Kontakt gebracht. Dieses Verfahren führt zur besten Auflösung aller Schattenwurfverfahren, da die Lichtbeugung und der damit verbundene Auflösungsverlust auf das durch die Lackdicke bedingte Minimum reduziert wird.
27. Februar 2013/von AllAdmin

Nasschemisches Ätzen

Beim nasschemischen Ätzen werden die chemischen Bindungen des zu bearbeitenden Materials durch meist aggressive Ätzmedien aufgebrochen und in lösliche Bestandteile überführt.
31. August 2012/von AllAdmin

Trockenchemisches Ätzen

Das trockenchemische Ätzen lässt sich in zwei Wirkprinzipien unterteilen. 1. Einerseits spricht man von einem mehr chemischen Ätzverhalten, bei dem das Substrat durch Radikale in flüchtige Verbindungen umgesetzt wird.
31. August 2012/von AllAdmin

Prozessablauf Photoresist

Reinigung der Substrate Bei Verwendung neuer und sauberer Substrate (Wafer) ist ein Ausheizen bei etwa 200 °C für einige Minuten (2-3 min, hote plate) zur Trocknung ausreichend. Jedoch sind die Substrate im Anschluss daran schnell zu verarbeiten.
30. Juli 2012/von AllAdmin

Prozessablauf E-Beamresist

Entwicklung PMMA-Schichten PMMA-Schichten lassen sich nur mit lösemittelhaltigen Entwicklern entwickeln. Wässrig-alkalische Entwickler greifen das PMMA nicht im Geringsten an. PMMA wird sogar als Schutzlack gegen stark alkalische Lösungen verwendet (siehe Schutzlacke AR-
30. Juli 2012/von AllAdmin

Prozessbedingungen

Gasbläschen nach dem Aufschleudern Es sind meist Luftbläschen, wenn z.B. die Lackflasche vor der Beschichtung geschüttelt bzw. stärker bewegt wurde oder der Lack verdünnt wurde.
30. Juli 2012/von AllAdmin

UV-Härtung

Photoresiststrukturen der Standard-Lacke besitzen einen Erweichungspunkt von 115 – 130°C. Bei sich anschließenden thermischen Prozessen (Plasmaätzen, Sputtern usw.) können diese Temperaturen leicht überschritten werden.
30. Juli 2012/von AllAdmin

Prinzipien und Funktionsweisen

Positivlack Die Zugabe der lichtempfindlichen Komponente (LEK, Naphthochinondiazide (NCD)) zum alkalilöslichen Novolak bewirkt eine Verringerung der Alkalilöslichkeit der Resistschicht.
24. Juli 2012/von AllAdmin

Andere Bestandteile von Resists

Die Lösemittel sind der Hauptbestandteil aller Resists. Von 50% (Dicklacke) bis zu 99% (Sprühlacke) beträgt der Anteil der Lösemittel. Die ersten Resists vor 1980 enthielten noch gesundheitsschädliche Lösemittel Toluol oder Cyclohexanon.
16. Juli 2012/von AllAdmin

Lift off (Einlagen – Zweilagen)

Prinzipiell sind zwei Wege zur Herstellung von z.B. Leiterbahnen möglich: 1. Ätzverfahren: Es wird eine Metallschicht (z.B. Aluminium) auf den Wafer aufgebracht (Bedampfen, Sputtern)
13. Juli 2012/von AllAdmin

Zusammensetzung Photoresist

Photoresists (Photolacke) werden insbesondere in der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik für die Produktion von µm- und sub-µm-Strukturen eingesetzt. Positiv-Photoresist Die von Allresist hergestellten Positiv-
13. Juli 2012/von AllAdmin

Lichtempfindliche Komponenten

Die lichtempfindliche Komponente in unseren Positiv-Photoresists gehört zur Gruppe der Naphthochinondiazide (NCD).
13. Juli 2012/von AllAdmin

Vernetzer (cross linker)

Die Strukturierung von Negativlacken beruht auf der Stabilisierung belichteter Bereiche unter Einsatz von Vernetzern (cross linker). Radikalstarter, wie z.B. Azo-bis(isobutyronitril)
13. Juli 2012/von AllAdmin

Lagerung und Alterung

Photoresists sind lichtempfindlich, reagieren auf Licht- und Temperatureinwirkung und altern im Verlauf ihrer Lagerung. Sie werden daher in lichtgeschützten Braunglasflaschen abgefüllt,
13. Juli 2012/von AllAdmin