Wird ein Elektronenstrahl mit hoher Energie (5- 100 keV) auf eine Resistschicht gelenkt treten sowohl Vorwärtsstreuung (< 90° in Einfallsrichtung) als auch eine Rückwärtsstreuung (> 90° in Einfallsrichtung) auf. Durch die Ablenkung verbreitert sich der Elektronenstrahl, dadurch kommt es zu einer Verringerung der Auflösung. Die rückgestreuten Primärelektronen bewirken bei ausreichender Dosis eine vollständige Belichtung eines Lackvolumens, das deutlich größer ist als der ursprüngliche Strahldurchmesser. Der Effekt kann gezielt ausgenutzt werden, um unterschnittene Resiststrukturen zu erzeugen. Die Elektronen werden am Substrat rückgestreut und bewirken eine verstärkte Belichtung der unteren Lackbereiche (Proximity-Effekt). Durch Einstellung einer entsprechenden Dosis kann die Ausprägung des Unterschnitts gezielt eingestellt werden.
