An der TU-Delft wird CSAR 62 routinemäßig zur Erzeugung innovativer Quantendevices verwendet (Mr. Toivo Hensgens, TU-Delft, Niederlande). Für die folgenden Strukturen wurde eine 72nm Schicht von CSAR 62 mit 100kV belichtet und anschließend mit Amylacetat entwickelt. Durch Metallabscheidung (lift-off-Prozess) konnten nano-dimensionierte Aluminium-Gates auf GaAs realisiert werden. Solche Strukturen eignen sich zur Untersuchung von Einzelelektronen, die sich in der darunterliegenden Halbleiterschicht elektrostatisch einfangen lassen, eine wichtige Voraussetzung zur Realisierung von Quantenprozessoren.
Abb. 1: Durch nachträgliche Metallisierung von lift-off CSAR 62-Architekturen erzeugte Al-Gates auf GaAs (Schichtdicke CSAR 62: 72nm, 100kV VISTEC – Ebeamschreiber EBPG5000+ bzw. EBPG5200). Liniendurchmesser: etwa 16nm bzw. 34nm.
CSAR 62 eignet sich auch sehr gut zur Erzeugung regelmäßiger Gitterstrukturen, die z.B. für die Untersuchung von Quanteneffekten mit Elektronen (2d-Elektronengas) verwendet werden können.
Abb. 2: Sehr regelmäßige Gitterstruktur von CSAR 62 auf GaAs, Durchmesser der Maschen etwa 150nm, Liniendurchmesser 40nm (Arbeitsgruppe von Mr. Toivo Hensgens, TU-Delft, Niederlande).
E-Beam Resist Positiv