Zweilagen Photoresistsystem für wasserempfindliche Substrate
Wenn im Strukturierungsprozess kein Wasser mit dem Substrat in Kontakt kommen darf, ist ein Zweilagen Photoresistsystem, bestehend aus einem PMMA-Resist (Unterschicht) und einem Photoresist (Oberschicht), eine Alternative zu dem SX AR-N 4810/1.
Zuerst wird ein PMMA beschichtet und bei 150 °C getempert (eine Temperatur von 95 °C reicht notfalls auch). Darauf wird ein Photoresist beschichtet und normal bei ca. 95 °C getrocknet. Dann erfolgt die Belichtung und wässrig alkalische Entwicklung der Photoresist Strukturen. Das PMMA schützt dabei das Substrat vor der wässrigen Lösung. Anschließend kann das frei entwickelte PMMA mit einem Sauerstoff-Plasma entfernt werden. Alternativ ist auch eine Entwicklung der PMMA-Schicht mit einem Lösemittel (Ethylbenzen) möglich, das Lösemittel greift den Photoresist nicht an, löst jedoch das PMMA. Allerdings ist dieses alternative Verfahren nur für größere Strukturen (> 10 µm) geeignet.
Die PMMA-Schicht sollte möglichst dünn sein (ca. 100 nm), um den Plasmaätzschritt schnell absolvieren zu können. Für den Photoresist wird eine Schichtdicke von 0,5 – 2 µm empfohlen. So könnte als PMMA-Resist der AR-P 672.02 und als Photoresist der AR-P 3540 verwendet werden.
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